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lalahulala

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】一.单晶硅表面如何获得较厚的SiO2层二.关于旋转涂膜

我用浓硫酸、双氧水加热处理单晶硅片几个小时后跟原片电阻率没什么区别呀。什么方法能够得到较厚的SiO2层
另外,热氧化法我还没试,做过的xdjm指点一下,多谢了
还有就是我想在玻璃或是硅片上旋转涂膜,不知道用什么溶剂润湿性好,涂出来的膜均匀
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zeusshang

金虫 (小有名气)

浓度不是很大,用来配PMMA什么的,5%左右吧,涂出来几百纳米。
对于极性还真没有考虑过。
微纳加工
6楼2009-09-01 20:41:14
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wqnow

木虫 (正式写手)


lalahulala(金币+1,VIP+0):多谢,我想在硅片上弄一层较厚的SiO2,使其变为绝缘体,旋涂有机前躯体溶液,热解得到导电的氧化物半导体膜 8-25 08:54
PECVD可以得到几百纳米到微米级的SiO2膜
热氧化法速度特别慢,另外需要能烧到1100~1300℃的炉子,并且能通氧气(最好和水蒸气一起通速度才比较快)
说说你要涂什么膜吧

[ Last edited by wqnow on 2009-8-24 at 23:33 ]
2楼2009-08-24 23:31:48
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snow0122wh

木虫 (小有名气)

1.有听说用氢氟酸和双氧水腐蚀的。
2.是用溶胶凝胶法涂膜吗?可以用乙醇溶剂。
人生若只如初见
3楼2009-08-25 09:41:12
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wqnow

木虫 (正式写手)

PECVD可以,如果在北京的话清华可以做。
没做过半导体膜,文献上应该有吧。
4楼2009-08-28 21:10:09
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