等离子刻蚀的局限性在哪？

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1楼2009-08-20 14:08:22

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bbb208

木虫 (正式写手)

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等离子体刻蚀（也称干法刻蚀）是集成电路制造中的关键工艺之一，其目的是完整地将掩膜图形复制到硅片表面，其范围涵盖前端CMOS栅极（Gate）大小的控制，以及后端金属铝的刻蚀及Via和Trench的刻蚀。在今天没有一个集成电路芯片能在缺乏等离子体刻蚀技术情况下完成。刻蚀设备的投资在整个芯片厂的设备投资中约占10%~12%比重，它的工艺水平将直接影响到最终产品质量及生产技术的先进性。
　　最早报道等离子体刻蚀的技术文献于1973年在日本发表，并很快引起了工业界的重视。至今还在集成电路制造中广泛应用的平行电极刻蚀反应室（Reactive Ion Etch-RIE）是在1974年提出的设想。

　　图1显示了这种反应室的剖面示意图和重要的实验参数，它是由下列几项组成：一个真空腔体和真空系统，一个气体系统用于提供精确的气体种类和流量，射频电源及其调节匹配电路系统。
　　等离子刻蚀的原理可以概括为以下几个步骤：
　　● 在低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中
的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团（Radicals）
　　● 活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应并形成挥发性的反应生成物
　　● 反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体。
　　在平行电极等离子体反应腔体中，被刻蚀物是被置于面积较小的电极上，在这种情况，一个直流偏压会在等离子体和该电极间形成，并使带正电的反应气体离子加速撞击被刻蚀物质表面，这种离子轰击可大大加快表面的化学反应，及反应生成物的脱附，从而导致很高的刻蚀速率，正是由于离子轰击的存在才使得各向异性刻蚀得以实现。

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aman

2楼2009-08-20 15:20:30

普通回帖

211031947

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这个方向前景如何？

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做人要低调。

3楼2009-08-20 16:17:40

元小雪

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前景不错，这是做微加工的基本方法，也是最重要的方法吧，在硅太阳能电池用得较多，就业不错哦

无聊的博士

4楼2009-08-20 17:07:10

ever1945

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等离子刻蚀的局限性在哪？

二楼的那位大哥，怎么图片看不到呢？

另外，等离子刻蚀这种技术应该也有一些局限性吧，比如说他在被刻蚀物的规格方面以及刻蚀的深度、速率等，能不能对这些做个简单的介绍呢？多谢了！

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5楼2009-08-20 18:36:59

qfw_68

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查一下较先进的反应离子刻蚀（RIE），这个文献很多。刻蚀的薄膜不同，刻蚀气体不同，其速率等也不同，不能一概而论。

没有困难创造困难也要上网。

6楼2009-08-20 18:48:44

smy1982

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现在好像比较流行光刻了。

如果你曾歌颂黎明，那么也请你拥抱黑夜。

7楼2009-08-20 20:27:15

ever1945

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恩，回头是要去查查，看来是要研究一番了......

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8楼2009-08-21 00:02:28

cord

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应该是半导体行业用得比较多，
太阳电池行业用得很少。

引用回帖:

Originally posted by 元小雪 at 2009-8-20 17:07:
前景不错，这是做微加工的基本方法，也是最重要的方法吧，在硅太阳能电池用得较多，就业不错哦

9楼2009-08-21 00:08:52

孙?�730

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接触过液相等离子体表面加工

sunyu730_emuch@126.com

10楼2009-08-21 11:35:22