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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 【交流】等离子体刻蚀探讨
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
引用回帖:
Originally posted by smy1982 at 2009-8-20 20:27:
现在好像比较流行光刻了。

光刻只是为了形成掩膜图形，最后还得用湿法或干法腐蚀薄膜。在微电子工艺中，通常使用光刻结合RIE干法腐蚀形成高深宽比的图形。
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没有困难创造困难也要上网。
11楼2009-08-21 17:43:55
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙
也有用激光刻蚀的。
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没有困难创造困难也要上网。
12楼2009-08-21 17:48:56
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zgghit

木虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
在MEMS器件里比较普遍，可以加工高深宽比的结构。
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13楼2009-08-21 20:21:43
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
引用回帖:
Originally posted by zgghit at 2009-8-21 20:21:
在MEMS器件里比较普遍，可以加工高深宽比的结构。

对头！
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没有困难创造困难也要上网。
14楼2009-08-21 20:33:41
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zgghit

木虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
在MEMS器件里比较普遍，可以加工高深宽比的结构。
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15楼2009-08-21 22:21:22
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zgghit

木虫 (正式写手)
在MEMS器件里比较普遍，可以加工高深宽比的结构。
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16楼2009-08-21 22:22:25
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kevinsun17

铜虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
想问一下等离子体刻蚀能刻的宽度有没有限制呢？即其精细度能去到多少？另英特尔那些圆晶是不是就经过这样的刻蚀
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为失败找借口前，请先为成功找方法
17楼2009-08-22 00:11:59
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
现在的刻蚀宽度受限于光刻后的掩膜宽度，而MEMS最求高的深宽比。英特尔是采用RIE的。
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没有困难创造困难也要上网。
18楼2009-08-22 08:05:41
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bote

RIE dry etching is a kind of anisotropic

★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
RIE dry etching is a kind of anisotropic etching technique unlike wet etching which is isotropic. It combines both sputtering and chemical reaction in patterning a wafer. The etching rate ranges from several Angstrom/sec to several tens of Angstrom/sec. It loyally transfers a mask pattern to a wafer with controlled etching profile (less under cut or over cut).

[ Last edited by bote on 2009-9-5 at 13:51 ]
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19楼2009-09-03 14:44:48
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眼泪622

木虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
我们刚接触到这方面，来学习学习
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20楼2009-12-03 19:00:05
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