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nononorain新虫 (初入文坛)
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AZ5214参数设计 已有1人参与
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用伪博世工艺进行硅刻蚀，打算直接用光刻胶做掩模版，光刻胶拟采用AZ5214，厚度拟定5微米，想要在光刻显影后得到侧壁垂直的光刻层，请问工艺参数怎么设定？ 1.旋胶速度和时间。查了相关资料，AZ5214 2000转下厚度 2微米，那5微米怎么设定，要多次旋胶吗； 2.曝光和显影时间怎么确定 |
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请问手中有可以提取3微米，6微米的球形颗粒，提取设备，这个技术有市场吗？
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rainbow0912
新虫 (初入文坛)
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3楼2021-05-19 10:48:16
