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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

[交流] 【求助】关于”spin-ploarized“和"spin-resolved"

各位虫友:
       最近在看文献时候,总看见”spin-ploarized“"spin-resolved",不太明白什么意思?
提出三个问题,请大家帮助解答一下:
(1)什么是”自旋极化“、”部分自旋极化“和”完全自旋极化“?它们之间的区别是什么?
(2)什么是“spin-resolved”?它和spin-ploarized一样吗?
(3)文献中有一句话不太懂:
为了使费米面附近的传导电子具有100%的自旋极化率,应重新调整组合铁磁过渡元素的3d4s带,使费米面避开4s或使自旋反方向的电子处于局域态。
在fermi面附近,d带载流子在一个充分窄的能带内,被局域于同一个自旋取向,具有100%的自旋极化率,形成传导极化子,靠局域位置的跃迁形成电流,保持自旋方向不变
请问:这两句话是什么意思啊?

三个问题,欢迎讨论,有币币哦
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

人呢?各位虫友,怎么没人回帖呢?
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2楼2009-08-07 16:53:00
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人

我来说一下对第三问的看法,其他两问都是基本概念,就不多说了。

★ ★ ★ ★ ★ ★
freshgirl(金币+3,VIP+0):分析的好,谢谢~ 8-7 20:53
Wanghui6383(金币+3,VIP+0):谢谢你的答复,比较透彻,还有问题请教你,如下: 8-7 23:42
由于没有上下文,我大概想了想,理解如下:
对于第一句话,如果费米面“附近的传导电子具有100%的自旋极化率”,这表明只有一种自旋的电子(假设自旋向上)参与电流输运,另一种(自旋向下的电子)不参与载流作用。可能有这么几种情况,第一,两种电子都是扩展态,但只有SPINUP的电子在费米面上有态密度,而费米面穿过了SPINDOWN电子的带隙,这就是所谓的半金属情况。由于自旋极化计算时电子的差异主要体现在d带,所以一般来说4s带的极化并不明显,因此如果费米面穿过4s带时,必然同时穿过SPINUP和SPINDOWN带,所以要避开4s带。第二种情况,可以是SPINUP的电子处于扩展态而SPINDOWN的电子处于局域态,这时只有SPINUP的电子有传导能力,也可以达到“100%的自旋极化率”。

至于第二句话,从最后一句话我怀疑此处的体系不是金属。因为金属的传导性不需要电子在各个局域态中通过“局域位置的跃迁形成电流”。只有在一些缺陷或是无序体系中,电子才会通过在不同局域态中以跃迁形式导电(此时可以引入变程电导等概念,该跃迁跟局域态之间态尾的交叠和能量差有关,比如著名的布洛赫1/4定律等等)。此时由于电子处于局域态,d带是比较窄的。

[ Last edited by yzcluster on 2009-8-7 at 20:40 ]
3楼2009-08-07 20:39:09
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

请求解答,多谢

引用回帖:
Originally posted by yzcluster at 2009-8-7 20:39:
由于没有上下文,我大概想了想,理解如下:
对于第一句话,如果费米面“附近的传导电子具有100%的自旋极化率”,这表明只有一种自旋的电子(假设自旋向上)参与电流输运,另一种(自旋向下的电子)不参与载流作用 ...

对于你说的第一种情况,半金属,你说道”由于自旋极化计算时电子的差异主要体现在d带,所以一般来说4s带的极化并不明显,因此如果费米面穿过4s带时,必然同时穿过SPINUP和SPINDOWN带,所以要避开4s带。“,
我提2个问题:
(1)怎样理解自旋极化主要是d带,不是s带(这个我似懂非懂)?
(2)怎样理解”避开4s带?
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4楼2009-08-07 23:46:44
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人

★ ★
Wanghui6383(金币+1,VIP+0):谢谢参与,期待进一步讨论。 8-8 15:53
yjr(金币+1,VIP+0):谢谢!! 8-8 16:41
DFT计算时电子劈裂主要是在d带,一般s带SPINUP和SPINDOWN的劈裂不明显,并且DOS也比较对称。
所谓避开s带,简单的说,从DOS上看就是费米能级与s带没有相较。
5楼2009-08-08 12:53:14
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cihinustc

6楼2009-08-08 15:06:59
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by yzcluster at 2009-8-8 12:53:
DFT计算时电子劈裂主要是在d带,一般s带SPINUP和SPINDOWN的劈裂不明显,并且DOS也比较对称。
所谓避开s带,简单的说,从DOS上看就是费米能级与s带没有相较。

首先非常感谢您耐心的答复,我的问题如下:
(1)我知道用DFT算出来的d的自旋极化的PDOS劈裂比较明显,s的不明显,
我的问题是:从理论上理解,为什么d电子的自旋极化PDOS劈裂的比较明显?
我的理解是:这种情况主要发生在不满的d带(也就是开壳层)中,spin-up和spin-dn数目不等,所以在低温外磁场情况下,spin-up电子和spin-dn电子所处的能量范围不同,所以在DOS中出现d电子的spin-up和spin-dn的PDOS不在同一能量范围处,也即d电子劈裂比较明显。
不知道我这种理解对吗?请指点.
(2)一般情况下,过度金属的4s带扩展性很强,大都跟费米能级相交,请问:您是怎样使4s带不与费米能级相交的?

多有打扰
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7楼2009-08-08 15:51:00
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人

★ ★ ★ ★ ★ ★
yjr(金币+4,VIP+0):xiexie!! 8-8 20:24
Wanghui6383(金币+2,VIP+0):谢谢yzcluster的耐心答复:) 8-10 13:27
既然你想知道“为什么d电子的自旋极化PDOS劈裂的比较明显”,那么我们就超越第一性原理的范畴,从物理上来看一看原因。
你既然是做磁性材料的,想必应该听说过巡游电子的斯通纳模型吧。其实,从物理上看,斯通纳MODEL是赫伯特MODEL的hartree-fock近似的结果(从量子多体角度,HFA其实就是一种静态平均场近似,以区别动态平均场近似,比如RPA)。在采取HF近似之后,赫伯特模型的哈密顿自动对角化,结果表明d壳层电子的能量,是跟自旋有关的,存在由自旋而引起的能量差,该能量差正比于强关联库伦相互作用能,也就是著名的赫伯特U(此时相当于引入一个U场)。
很显然,既然能带跟自旋有关,UP和DOWN的能带自然不再是对称的,也就是有了劈裂。对于s电子,由于不考虑U的影响,因此在这个MODEL中是没有劈裂的。当然,关于斯通纳MODEL的一些缺点,比如有限温的失败,忽略了体系的自旋集体振荡激发和相应模式间的耦合等问题,在第一性原理版不多讨论。
这只是用斯通纳模型做一个理论介绍。是为了帮助你理解。显然,对于DFT计算,与此还不完全一样。比如,引起劈裂的U在DFT计算中有时并不考虑,但劈裂仍然是存在的。在这里出现劈裂的原因是自旋极化计算的一个必然结果。另外,即使没有低温(DFT计算是在绝对0度)和外磁场,劈裂仍然存在。因为引起劈裂的是内部原因,而非外场。(其实,有限温反倒会模糊两种自旋电子的劈裂,是一种不利因素。一个简单的说明,比如温度如果不断升高,达到居里点时,铁磁性消失,成为顺次相)
至于第二个问题,无法回答。而无法回答的原因你自己好好想想就应该知道了。
好了,对这个帖子就是这么多,LZ如果不是急着用论文毕业的话建议你有时间还是系统的看一点书。恕在下直言,从问题可以看出来你的物理底子还是比较薄弱的。

[ Last edited by yzcluster on 2009-8-8 at 20:26 ]
8楼2009-08-08 20:18:53
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