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why880920

金虫 (正式写手)

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[交流] 低介电损耗聚酰亚胺

纯技术讨论：最近在做一点低高频低介电损耗的聚酰亚胺，10GHz下要求Df≤0.003，有人做过类似的工作吗？希望可以找人一起交流一下，或者大神过来指点一下，单纯从化学结构上来说，我们应该选择什么样的化学结构才更容易制备出低介电损耗的PI呢？目前研究中，多是注重在降低介电常数，如使用含氟的，大侧基，大自由体积，甚至造孔或者填料共混，有没有可能单纯从化学结构上改性，做出来低Df的PI呢？

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lhc771

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1楼 2021-03-23 15:50:52

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poss

至尊木虫 (职业作家)

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★
why880920(金币+1): 谢谢参与

你列举的条件都有可能实现低介电低损耗，聚酰亚胺大多数的配方接电损耗都不高，问题是实际制备过程中分子量、溶剂及金属离子残留、吸水亚胺键回到聚酰胺酸都会提升介电常数和损耗，因此配方选择只是一个方面，原料纯化、工艺控制是关键，也是最大的难点

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4楼2021-03-24 09:04:12

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why880920

金虫 (正式写手)

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引用回帖:

4楼: Originally posted by poss at 2021-03-24 09:04:12
你列举的条件都有可能实现低介电低损耗，聚酰亚胺大多数的配方接电损耗都不高，问题是实际制备过程中分子量、溶剂及金属离子残留、吸水亚胺键回到聚酰胺酸都会提升介电常数和损耗，因此配方选择只是一个方面，原料纯 ...

分子量，金属离子含量等应该影响比较大，最终如果能够完全变成酰亚胺，如不是强碱性环境，应该很难再水解得到聚酰胺酸的状态吧，个人觉得，高频状态下，介电损耗与PI的化学结构关系还是蛮大的，不知道对不对？

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5楼2021-03-24 09:39:32

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