| 查看: 1683 | 回复: 3 | |||
[交流]
对于EPI外延P型掺杂 已有1人参与
|
|
请问对于半导体外延硅片,边缘性ESFQR改善,在3x flower 进气的情况下,我们是否可以考虑增加底部气流,而限制边缘恶化型,减小ZDD,从而达到边缘塌边减少,恶化值变小状况。 发自小木虫IOS客户端 |
» 猜你喜欢
印染废水脱色之争
已经有0人回复
辰华电化学工作站型号及软件版本
已经有0人回复
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有205人回复
石墨极板 改性增效 还是 概念包装?表面改性技术的实测检验
已经有0人回复
2楼2021-01-21 11:12:34
3楼2022-06-27 13:12:52
4楼2022-06-27 13:14:26










回复此楼
200