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李李先森

新虫 (初入文坛)

[交流] 对于EPI外延P型掺杂 已有1人参与

请问对于半导体外延硅片,边缘性ESFQR改善,在3x flower 进气的情况下,我们是否可以考虑增加底部气流,而限制边缘恶化型,减小ZDD,从而达到边缘塌边减少,恶化值变小状况。

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李李先森

新虫 (初入文坛)

如果有材料学,物理学,或者半导体薄膜生长经验者,可以共同交流啊

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2楼2021-01-21 11:12:34
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廿年砍柴

木虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
ESFQR和ZDD参数是12英寸wafer,我们对于调整SFQR主要根据来料形貌(rolloff or rollup )调整外延厚度分布,厚度均一性除了气流主要受温度分布影响
3楼2022-06-27 13:12:52
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廿年砍柴

木虫 (初入文坛)

如果有wafersight图,比对外延前后,比较好分析,同时结合外延厚度分布
4楼2022-06-27 13:14:26
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