| 查看: 1366 | 回复: 3 | |||
[交流]
对于EPI外延P型掺杂 已有1人参与
|
|
请问对于半导体外延硅片，边缘性ESFQR改善，在3x flower 进气的情况下，我们是否可以考虑增加底部气流，而限制边缘恶化型，减小ZDD，从而达到边缘塌边减少，恶化值变小状况。 发自小木虫IOS客户端 |
回复此楼» 猜你喜欢
法国斯特拉斯堡大学招CSC攻读博士-超分子化学、高分子科学和有机化学合成背景
已经有0人回复
-
色粉析出问题
已经有2人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有66人回复
-
有机硅改性硅油
已经有25人回复
-
我想问一下做工业上合成水性聚氨酯是不是都要用丙酮？
已经有6人回复
-
安徽农业大学生科院生物制药系课题组招收2026级博士生（申请考核制）
已经有0人回复
-
博士招生-哈尔滨工业大学（深圳）理学院-有机化学-药物化学-材料-高分子-生物-医学
已经有0人回复
-
中国科学院微电子研究所低功耗智能芯片与系统团队2026年海内外人才引进简章
已经有0人回复
2楼2021-01-21 11:12:34
3楼2022-06-27 13:12:52
4楼2022-06-27 13:14:26