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对于EPI外延P型掺杂 已有1人参与
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请问对于半导体外延硅片，边缘性ESFQR改善，在3x flower 进气的情况下，我们是否可以考虑增加底部气流，而限制边缘恶化型，减小ZDD，从而达到边缘塌边减少，恶化值变小状况。 发自小木虫IOS客户端 |
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