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对于EPI外延P型掺杂 已有1人参与
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请问对于半导体外延硅片,边缘性ESFQR改善,在3x flower 进气的情况下,我们是否可以考虑增加底部气流,而限制边缘恶化型,减小ZDD,从而达到边缘塌边减少,恶化值变小状况。 发自小木虫IOS客户端 |
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