| 查看: 1664 | 回复: 3 | |||
[交流]
对于EPI外延P型掺杂 已有1人参与
|
|
请问对于半导体外延硅片，边缘性ESFQR改善，在3x flower 进气的情况下，我们是否可以考虑增加底部气流，而限制边缘恶化型，减小ZDD，从而达到边缘塌边减少，恶化值变小状况。 发自小木虫IOS客户端 |
回复此楼» 猜你喜欢
澳大利亚皇家墨尔本理工大学（RMIT）理学院招收2027博士生
已经有62人回复
-
为什么现在电催化越来越卷？从“只看效果”到“全周期低成本”选型转变
已经有0人回复
-
物理化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有282人回复
-
电催化氧化反应器现场运维，不可忽视的安全风险与防控措施
已经有0人回复
-
电池测试中dQ/dV怎么理解
已经有1人回复
-
中科院为什么不发布SCI分区啦？毫无责任与担当，
已经有0人回复
-
精细化工浓水做零排放，前端到底该配什么氧化工艺？
已经有0人回复
-
大湾区大学姚瑶课题组2027届博士生招生 （与中山大学联合培养）
已经有23人回复
-
光固化防涂鸦涂料
已经有56人回复
2楼2021-01-21 11:12:34
3楼2022-06-27 13:12:52
4楼2022-06-27 13:14:26