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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 工艺技术 » 工艺设计 » 对于EPI外延P型掺杂
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李李先森

新虫 (初入文坛)

[交流] 对于EPI外延P型掺杂 已有1人参与

请问对于半导体外延硅片，边缘性ESFQR改善，在3x flower 进气的情况下，我们是否可以考虑增加底部气流，而限制边缘恶化型，减小ZDD，从而达到边缘塌边减少，恶化值变小状况。

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1楼 2021-01-21 11:09:25
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李李先森

新虫 (初入文坛)
如果有材料学，物理学，或者半导体薄膜生长经验者，可以共同交流啊

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2楼2021-01-21 11:12:34
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廿年砍柴

木虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
ESFQR和ZDD参数是12英寸wafer，我们对于调整SFQR主要根据来料形貌（rolloff or rollup ）调整外延厚度分布，厚度均一性除了气流主要受温度分布影响
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3楼2022-06-27 13:12:52
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廿年砍柴

木虫 (初入文坛)
如果有wafersight图，比对外延前后，比较好分析，同时结合外延厚度分布
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4楼2022-06-27 13:14:26
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