| 查看: 1684 | 回复: 3 | |||
[交流]
对于EPI外延P型掺杂 已有1人参与
|
|
请问对于半导体外延硅片,边缘性ESFQR改善,在3x flower 进气的情况下,我们是否可以考虑增加底部气流,而限制边缘恶化型,减小ZDD,从而达到边缘塌边减少,恶化值变小状况。 发自小木虫IOS客户端 |
» 猜你喜欢
光固化防涂鸦涂料
已经有56人回复
大神们,来解谱了
已经有0人回复
高分子科学论文润色/翻译怎么收费?
已经有168人回复
谁能搞到东芝用的钛酸锂?
已经有0人回复
吉林大学有机电化学课题组招收硕转博
已经有2人回复
长春工业大学诚招化学专业博士研究生(长期有效)
已经有0人回复
中山大学微纳光电器件课题组招聘2027博士/博士后
已经有19人回复
中山大学微纳光电器件课题组招聘2027博士/博士后
已经有59人回复
第一次投期刊论文踩过的8个坑,写给第一次投稿的虫友
已经有0人回复
2楼2021-01-21 11:12:34
3楼2022-06-27 13:12:52
4楼2022-06-27 13:14:26










回复此楼
200