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厚度70μm， 问题1旋涂过程中总有小泡； 问题2前烘中从65℃到95℃，硅片一直待在基底上还是，65°C完成后，移出，待95℃再放上去； 问题3曝光剂量指的是在哪一波长下的； 问题4在曝光后放在加热板的一瞬间，光刻胶出现褶皱，什么原因导致的； 问题5 最终70μm的胶只出来了10μm左右的坑，原因是因为过度曝光加基底衍射吗 感谢各路神仙不吝赐教 发自小木虫Android客户端 |
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2楼2020-12-24 15:11:14
tt66tt55
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- 专业: 原子和分子物理
3楼2020-12-24 16:10:20
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4楼2021-01-28 10:25:37
