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jdzhuang

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】问一个XPS化学位移的问题

如果TiO2表面具有Ti3+存在,那么,除了在低结合能处会出现一个肩峰外,Ti2p的峰会不会出现位移,如果会出现位移的话,是往哪个方向移动的呢?
      若生成表面氧空位的话,O1s的峰会不会出现位移,我的实验结果是O1s峰往高结合能方向移动了0.3eV,(谱图已经用C1s 284.6eV校正过了)。
       望各位高手多多指点,不甚感激!!!

[ Last edited by jdzhuang on 2009-7-15 at 11:27 ]
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jdzhuang

金虫 (正式写手)

我薄膜表面是在惰性气氛下,低真空度等离子处理的,按文献的报道是可以得到表面氧空位和Ti3+defects的。
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9楼2009-07-16 16:56:55
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zyh116

金虫 (正式写手)

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如果有Ti3+存在,那么Ti2p 1/2 3/2 会有位移,会在低结合能处拟合出峰,大概偏移2-3eV。
如你所说,有氧空位的话,氧会向高结合能处偏移,但是氧和Ti3+结合会造成O1s向低结合能处偏移0.3-0.5ev,综合影响就看你的样品了是氧空位多一些还是Ti3+多一些
给你个XPS标准数据库看一下,这是Ti的,O的你也可以查一下对照。
http://srdata.nist.gov/xps/EngEl ... i_ex_dat&Elm=Ti

[ Last edited by zyh116 on 2009-7-16 at 14:12 ]
2楼2009-07-15 23:04:35
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jdzhuang

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by zyh116 at 2009-7-15 23:04:
如果有Ti3+存在,那么Ti2p 1/2 3/2 会有位移,会在低结合能处拟合出峰,大概偏移2-3eV。
如你所说,有氧空位的话,氧会向高结合能处偏移,但是氧和Ti3+结合会造成O1s向低结合能处偏移0.3-0.5ev,综合影响就看你的 ...

首先多谢zyh116兄!如果我的谱图中Ti2p峰在低结合能处能拟合出Ti3+的峰,但是整个Ti2p线往高结合能方向移动了0.5eV, 而O1s峰往高结合能方向位移了0.3eV左右,能否说明原因是因为产生较多的氧空位,使得以上这些位移得以发生?谢谢!!!
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3楼2009-07-16 11:33:15
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zyh116

金虫 (正式写手)

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可以这么说,但是如你你要写文章的话,必须给出出处,也就是说可参考文献,氧空位的概念比较模糊,0.3-0.5eV的偏移说明没有价态的变化,氧空位产生不会引起价态变化,但是会引起Ti\O的结合能发生化学位移,你可以这么解释,但最好能找到相关的文献,我不搞光催化,手上没有这方面文献。
另外,你的Ti2p和O1s的峰位是多少eV?

[ Last edited by zyh116 on 2009-7-16 at 14:11 ]
4楼2009-07-16 13:10:30
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