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jdzhuang金虫 (正式写手)
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[交流]
【求助】问一个XPS化学位移的问题
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如果TiO2表面具有Ti3+存在，那么，除了在低结合能处会出现一个肩峰外，Ti2p的峰会不会出现位移，如果会出现位移的话，是往哪个方向移动的呢？ 若生成表面氧空位的话，O1s的峰会不会出现位移，我的实验结果是O1s峰往高结合能方向移动了0.3eV，（谱图已经用C1s 284.6eV校正过了）。 望各位高手多多指点，不甚感激！！！ [ Last edited by jdzhuang on 2009-7-15 at 11:27 ] |
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jdzhuang
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3楼2009-07-16 11:33:15
zyh116
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如果有Ti3+存在，那么Ti2p 1/2 3/2 会有位移，会在低结合能处拟合出峰，大概偏移2-3eV。 如你所说，有氧空位的话，氧会向高结合能处偏移，但是氧和Ti3+结合会造成O1s向低结合能处偏移0.3-0.5ev，综合影响就看你的样品了是氧空位多一些还是Ti3+多一些 给你个XPS标准数据库看一下，这是Ti的，O的你也可以查一下对照。 http://srdata.nist.gov/xps/EngEl ... i_ex_dat&Elm=Ti [ Last edited by zyh116 on 2009-7-16 at 14:12 ] |
2楼2009-07-15 23:04:35
zyh116
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4楼2009-07-16 13:10:30
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我查了一些文献，里面比较少讲位移内容的。基本上看他们的XPS图peaks都重叠的很好，然后在Ti2p 的低结合能或O1s的高结合能方向上有出现包，然后说明有Ti3+或者是有吸附的OH。也有看V2O5的文献说：O1s往高位走0.3eV是氧空位结合能的影响，但是他里面V2p的峰是往低位走的。 我两个样品，一个表面没处理的TiO2其Ti2p和O1s分别为：458.6和530.0eV，这个和那些标准数据对的很好。而表面处理过的的TiO2膜的峰分别是：459.1和530.3eV，而Ti3+的包大概出现在457-458之间。 [ Last edited by jdzhuang on 2009-7-16 at 16:37 ] |
5楼2009-07-16 16:34:15
