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[交流] 关于静态再结晶激活能

请教大家，看文献中，对于同种牌号的材料，其静态再结晶激活能差异较大，有的高于理论自扩散激活能（self-diffusion），有的小于自扩散激活能。这个可能是由于杂质或者实验温度范围等因素影响，但是为什么会差异这么大，有的甚至差了两倍，这个有没有关于这个静态再结晶激活能影响的一种普遍规律呢，比如应变量越大激活能越小，杂质多了怎么影响？

注：这个讨论的是退火时候的静态再结晶激活能，不是高温变形应力应变曲线拟合那个动态再结晶激活能。

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1楼 2020-05-07 18:09:33

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dc2003121106

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随感而发。
再结晶发生的驱动力为储存能，储存能本质上为变形产生的缺陷，主要是位错。因此再结晶的过程也是储存能的一个释放过程。储存能为什么会释放？主要是热激活下位错的运动，湮灭与消失。因此再结晶激活能的差异，本质上与位错运动的激活能有关。而位错运动的激活能与位错类型，数量有很大关系。
所以，我认为，相同牌号材料再结晶激活能差异之所以大，主要在于其加工工艺导致的内部位错状态的差异。