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关于静态再结晶激活能
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关于静态再结晶激活能
请教大家,看文献中,对于同种牌号的材料,其静态再结晶激活能差异较大,有的高于理论自扩散激活能(self-diffusion),有的小于自扩散激活能。这个可能是由于杂质或者实验温度范围等因素影响,但是为什么会差异这么大,有的甚至差了两倍,这个有没有关于这个静态再结晶激活能影响的一种普遍规律呢,比如应变量越大激活能越小,杂质多了怎么影响?
注:这个讨论的是退火时候的静态再结晶激活能,不是高温变形应力应变曲线拟合那个动态再结晶激活能。
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1楼
2020-05-07 18:09:33
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9楼
2020-06-23 12:48:28
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dc2003121106
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Xfrag(金币+1): 谢谢参与
随感而发。
再结晶发生的驱动力为储存能,储存能本质上为变形产生的缺陷,主要是位错。因此再结晶的过程也是储存能的一个释放过程。储存能为什么会释放?主要是热激活下位错的运动,湮灭与消失。因此再结晶激活能的差异,本质上与位错运动的激活能有关。而位错运动的激活能与位错类型,数量有很大关系。
所以,我认为,相同牌号材料再结晶激活能差异之所以大,主要在于其加工工艺导致的内部位错状态的差异。
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7楼
2020-05-09 10:55:58
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zhaoyan1978
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2020-05-09 12:04
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shuaige666
10楼
2020-09-04 22:44
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