| 查看: 1213 | 回复: 2 | ||||
[求助]
EBL套刻 已有1人参与
|
|
想问一下现在我有石英基片上镀了60nmAg、10nmSiO2，现在想先做一次EBL镀上Au标记，100nm，然后用EBL做两次套刻，这种方案可以吗？ 发自小木虫IOS客户端 |
回复此楼» 猜你喜欢
济南大学国家优青课题组 2026 调剂招生来啦
已经有0人回复
-
武汉纺织大学_化学院官方调剂群-院士团队招生-学生自由度高发展好-欢迎各位同学
已经有0人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有184人回复
-
西华大学 化学 调剂有名额
已经有0人回复
-
上海应用技术大学招生调剂研究生
已经有8人回复
-
南京晓庄学院绿色能源材料团队招生
已经有0人回复
-
南京晓庄学院绿色能源材料团队招生
已经有0人回复
-
北方工业大学储能技术-02电化学储能与氢能方向招收2026级二次调剂学生
已经有0人回复
yswyx 
专家顾问 (著名写手)
-
专家经验: +651 - MN-EPI: 8
- 应助: 807 (博后)
- 贵宾: 0.204
- 金币: 2618.9
- 散金: 6018
- 红花: 112
- 帖子: 2705
- 在线: 577.8小时
- 虫号: 446878
- 注册: 2007-10-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
- 管辖: 微米和纳米
【答案】应助回帖
supernatural: 不要宣传 2020-05-12 11:05:22
|
描述的不清楚，所以只能猜你的方案。 你是想分别做sio2，ag和石英的图案吗？还是只做前两者？ 无论哪一种，你的方案都是不对的。因为歡au标记和ag衬底会重叠，电子束光刻机无法清晰识别出au和ag层的区别，100nm的深度区别不够。因为二次电子的台阶识别能力是比较差的。 好的方法是，直接电子束光刻，先做ag层的图案，同时做ag标记。然后溅射sio2，再做电子束光刻（限制是sio的图案必须在ag图案范围内，如果是你是电极开窗口，那肯定是如此）。如果sio的图案超出ag的图案范围，那就需要在石英衬底上预先刻蚀500nm以上深度的标记，来作为后续电子束光刻的对准标记。 |
2楼2019-12-30 17:03:01
3楼2020-02-13 10:16:02
