| 查看: 1169 | 回复: 2 | ||||
[求助]
EBL套刻 已有1人参与
|
|
想问一下现在我有石英基片上镀了60nmAg、10nmSiO2，现在想先做一次EBL镀上Au标记，100nm，然后用EBL做两次套刻，这种方案可以吗？ 发自小木虫IOS客户端 |
回复此楼» 猜你喜欢
请问对标matlab的开源软件octave的网站https://octave.org为什么打不开？
已经有1人回复
-
求助两种BiOBr晶体的CIF文件（卡片号为JCPDS 09-0393与JCPDS 01-1004 ）
已经有0人回复
-
无机化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有59人回复
-
哈尔滨工程大学材化学院国家级青年人才-26年硕士招生
已经有0人回复
-
求助Fe-TCPP、Zn-TCPP的CIF文件，或者CCDC号
已经有0人回复
-
河北大学-26年秋季入学申请考核制-化学博士1名
已经有0人回复
yswyx 
专家顾问 (著名写手)
-
专家经验: +651 - MN-EPI: 8
- 应助: 807 (博后)
- 贵宾: 0.204
- 金币: 2618.1
- 散金: 6018
- 红花: 112
- 帖子: 2705
- 在线: 577.8小时
- 虫号: 446878
- 注册: 2007-10-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
- 管辖: 微米和纳米
【答案】应助回帖
supernatural: 不要宣传 2020-05-12 11:05:22
|
描述的不清楚，所以只能猜你的方案。 你是想分别做sio2，ag和石英的图案吗？还是只做前两者？ 无论哪一种，你的方案都是不对的。因为歡au标记和ag衬底会重叠，电子束光刻机无法清晰识别出au和ag层的区别，100nm的深度区别不够。因为二次电子的台阶识别能力是比较差的。 好的方法是，直接电子束光刻，先做ag层的图案，同时做ag标记。然后溅射sio2，再做电子束光刻（限制是sio的图案必须在ag图案范围内，如果是你是电极开窗口，那肯定是如此）。如果sio的图案超出ag的图案范围，那就需要在石英衬底上预先刻蚀500nm以上深度的标记，来作为后续电子束光刻的对准标记。 |
2楼2019-12-30 17:03:01
3楼2020-02-13 10:16:02