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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 想要在GeSn薄膜中使用射频磁控溅射掺杂硼
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天才在左3

新虫 (初入文坛)

[交流] 想要在GeSn薄膜中使用射频磁控溅射掺杂硼 已有1人参与

想要在GeSn薄膜中使用射频磁控溅射掺杂硼，使其成为P型半导体，想问下大家有没有参数可以参考，如功率，气压，温度，时间

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1楼 2019-12-09 16:21:00
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天才在左3

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 091820053 at 2019-12-09 17:28:52
直接用掺杂硼的靶

就是用的B靶，现在在试一个参数，就是不知道有没有什么简单的方法可以确定有没有掺杂成功

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3楼2019-12-10 17:30:29
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091820053

禁虫 (知名作家)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
本帖内容被屏蔽
2楼2019-12-09 17:28:52
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