| 查看: 615 | 回复: 2 | |||
[交流]
想要在GeSn薄膜中使用射频磁控溅射掺杂硼 已有1人参与
|
|
想要在GeSn薄膜中使用射频磁控溅射掺杂硼,使其成为P型半导体,想问下大家有没有参数可以参考,如功率,气压,温度,时间 发自小木虫Android客户端 |
» 猜你喜欢
2026年面上项目中了,2A+B, 会评顺利通过
已经有10人回复
今年E04面上
已经有16人回复
大龄残疾硕士的一点执念
已经有16人回复
刑法学论文投稿求助
已经有5人回复
Journal of Environmental Chemical Engineering
已经有3人回复
最后一年,祈求好运
已经有3人回复
风电环氧领域
已经有3人回复
售T0P一区SCI文章,我:8O5.51.O.54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
植酸TLC薄层色谱爬板
已经有6人回复
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
|
本帖内容被屏蔽 |
2楼2019-12-09 17:28:52
3楼2019-12-10 17:30:29











回复此楼