| 查看: 591 | 回复: 2 | |||
[交流]
想要在GeSn薄膜中使用射频磁控溅射掺杂硼 已有1人参与
|
|
想要在GeSn薄膜中使用射频磁控溅射掺杂硼，使其成为P型半导体，想问下大家有没有参数可以参考，如功率，气压，温度，时间 发自小木虫Android客户端 |
回复此楼» 猜你喜欢
生物学博士
已经有6人回复
-
评审感受-评审感受-评审感受
已经有5人回复
-
窗边初夏的小雨
已经有8人回复
-
护理论文 晋升
已经有3人回复
-
2026年申博-电池方向
已经有11人回复
-
26年申博自荐-计算机视觉
已经有4人回复
-
导师各种操作恶心咋办
已经有8人回复
-
2026博士申请求助
已经有5人回复
-
研究生做的很差，你们会让毕业吗？
已经有11人回复
-
求碳排放博导；方向是LCA、生命周期可持续发展以及碳排放
已经有7人回复
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
|
本帖内容被屏蔽 |
2楼2019-12-09 17:28:52
3楼2019-12-10 17:30:29