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关于dmol3计算表面吸附分子电荷转移的问题请教
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请问高手，在用dmol3模拟小分子表面吸附的过程时，电荷转移具体是怎么得到的？ 我重复了MoS2吸附气体小分子的论文，用论文里的方法计算的结构和吸附能都符合，只有电荷转移与论文中的结果不符。论文也是用的Hirshfeld计算的。 我在计算时，是勾选了population analysis——Hirshfeld analysis—— charge ——run 然后在outmol中直接将Hirshfeld 下面charge 的读数与文献中作对比，每次都符合不上。想请问一下 ，实际是的电荷转移是怎么得到的，是有什么式子吗？？ 就比如我只算一个小分子的电荷转移，都与文献的结果差很多，下面是我算用GGA-PBE算的一个H2S在格子里的电荷转移，直接找到outmol中的Hirshfeld分析 Charge partitioning by Hirshfeld method: ( 0.0005 -0.0000) H 1 charge spin 0.0495 -0.0000 H 2 charge spin 0.0495 0.0000 S 3 charge spin -0.0985 0.0000 请问，我能直接说S原子带-0.0985的负电荷吗？ 基础比较薄弱，这个问题困扰好几天了，请高手指教 |
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 MS计算模拟 |
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