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关于dmol3计算表面吸附分子电荷转移的问题请教
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请问高手,在用dmol3模拟小分子表面吸附的过程时,电荷转移具体是怎么得到的? 我重复了MoS2吸附气体小分子的论文,用论文里的方法计算的结构和吸附能都符合,只有电荷转移与论文中的结果不符。论文也是用的Hirshfeld计算的。 我在计算时,是勾选了population analysis——Hirshfeld analysis—— charge ——run 然后在outmol中直接将Hirshfeld 下面charge 的读数与文献中作对比,每次都符合不上。想请问一下 ,实际是的电荷转移是怎么得到的,是有什么式子吗?? 就比如我只算一个小分子的电荷转移,都与文献的结果差很多,下面是我算用GGA-PBE算的一个H2S在格子里的电荷转移,直接找到outmol中的Hirshfeld分析 Charge partitioning by Hirshfeld method: ( 0.0005 -0.0000) H 1 charge spin 0.0495 -0.0000 H 2 charge spin 0.0495 0.0000 S 3 charge spin -0.0985 0.0000 请问,我能直接说S原子带-0.0985的负电荷吗? 基础比较薄弱,这个问题困扰好几天了,请高手指教 |
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3楼2019-09-06 18:48:11
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4楼2019-09-07 04:59:14
5楼2019-09-07 11:16:14
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6楼2019-09-07 13:41:45







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