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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » HD4100 PI 负性光刻胶 残胶
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huanihaoma

银虫 (小有名气)

[求助] HD4100 PI 负性光刻胶 残胶 已有3人参与

本人采用HD4100负性光刻胶，为啥软烘不足，显影后会出现残胶，提高软烘温度，残胶就没有了，可以从原理方面解释吗？
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1楼 2019-07-15 06:40:11
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
前烘温度和时间决定了光刻胶中溶剂挥发的程度。
当前烘不足时，你的光刻胶中溶剂挥发不充分。对于负胶，你未曝光的部分仅仅发生了溶剂含量方面的改变，所以和化学放大没有任何关系。楼上原位的那位纯粹是瞎扯！
需要被显影的部分溶剂挥发不足，意味着显影液和原有溶剂在争夺光刻胶固溶物的时候发生了排斥，使得残胶出现。而如果原有溶剂和显影液是相容的，那么会出现曝光区域的暗蚀效应。
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5楼2019-07-16 14:51:32
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原位代加工

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
温度不够，说明PI在显影液中没有化学放大到最佳状态。具体理论信息请百度。
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2楼2019-07-15 14:38:34
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gyxzby

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
额，光刻烘烤有Soft Bake ，PEB（Post Exposure Bake），还有HB（Hard Bake），我想问你说的Soft Bake真的是SoftBake还是搞混了？
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3楼2019-07-15 18:25:32
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bobo201266

金虫 (正式写手)
涂胶后的softbake,影响光刻胶内的溶剂含量。负胶的话，理论上不应该有残留。漏光或者反射光会导致特定区域的残留。

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4楼2019-07-15 18:37:08
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