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xiaoying16

铜虫 (正式写手)

[交流] SBA-15负载后孔径为4nm，为什么？

SBA-15负载活性组分，负载后做BET，发现除了原SBA-15后孔径由原来的7.7nm降低为6.4nm后，在4nm附近又出现一个小峰，想问问大家这个4nm左右的峰是怎么形成的，谢谢！
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1楼 2009-05-15 09:23:18
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radiolaria

铜虫 (正式写手)
★
xiaoying16(金币+1):谢谢参与
说清楚是吸附支还是脱附支计算的孔分布，TSE出现在脱附支，不可信。
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5楼2009-05-17 12:25:53
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yunbao226

金虫 (正式写手)
★
xiaoying16(金币+1):谢谢参与
孔径由原来的7.7nm降低为6.4nm，是由于活性组分堵塞部分孔道造成，
而孔分布在4nm左右的峰是假峰—是由张力强度效应（TSE现象）造成的。
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创新科研，推进转化，广交朋友！
2楼2009-05-15 09:31:37
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xiaoying16

铜虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by yunbao226 at 2009-5-15 09:31:
孔径由原来的7.7nm降低为6.4nm，是由于活性组分堵塞部分孔道造成，
而孔分布在4nm左右的峰是假峰—是由张力强度效应（TSE现象）造成的。

谢谢！假峰的说发可以给出文献吗？
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3楼2009-05-15 09:36:39
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WG222

木虫 (正式写手)
★
xiaoying16(金币+1):谢谢参与
引用回帖:
Originally posted by xiaoying16 at 2009-5-15 09:36:

谢谢！假峰的说发可以给出文献吗？

Groen, J.C., L.A.A. Peffer, and J. Perez-Ramirez. Microporous and Mesoporous Materials, 2003. 60(1-3): 1-17
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4楼2009-05-17 00:03:36
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