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xiaoying16

铜虫 (正式写手)

[交流] SBA-15负载后孔径为4nm,为什么?

SBA-15负载活性组分,负载后做BET,发现除了原SBA-15后孔径由原来的7.7nm降低为6.4nm后,在4nm附近又出现一个小峰,想问问大家这个4nm左右的峰是怎么形成的,谢谢!
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xiaoying16

铜虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by yunbao226 at 2009-5-15 09:31:
孔径由原来的7.7nm降低为6.4nm,是由于活性组分堵塞部分孔道造成,
而孔分布在4nm左右的峰是假峰—是由张力强度效应(TSE现象)造成的。

谢谢!假峰的说发可以给出文献吗?
3楼2009-05-15 09:36:39
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yunbao226

金虫 (正式写手)


xiaoying16(金币+1):谢谢参与
孔径由原来的7.7nm降低为6.4nm,是由于活性组分堵塞部分孔道造成,
而孔分布在4nm左右的峰是假峰—是由张力强度效应(TSE现象)造成的。
创新科研,推进转化,广交朋友!
2楼2009-05-15 09:31:37
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WG222

木虫 (正式写手)


xiaoying16(金币+1):谢谢参与
引用回帖:
Originally posted by xiaoying16 at 2009-5-15 09:36:

谢谢!假峰的说发可以给出文献吗?

Groen, J.C., L.A.A. Peffer, and J. Perez-Ramirez. Microporous and Mesoporous Materials, 2003. 60(1-3): 1-17
4楼2009-05-17 00:03:36
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radiolaria

铜虫 (正式写手)


xiaoying16(金币+1):谢谢参与
说清楚是吸附支还是脱附支计算的孔分布,TSE出现在脱附支,不可信。
5楼2009-05-17 12:25:53
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