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juloong

木虫 (职业作家)

X射线衍/散射测试

不错的话题,正在学习这方面的内容
11楼2009-05-10 15:54:48
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)


fegg7502(金币+1,VIP+0):鼓励交流2 10-26 05:34
引用回帖:
Originally posted by yzcluster at 2009-5-10 15:47:
由你的态密度来看,应该是一种半金属(如果你的态密度计算本身没有什么问题的话)。其导带底和价带顶在费米能级(也就是图中E=0处)有少量的重叠。但是,由于DFT常常低估带隙,所以你要小心,因为真实情况也可能是 ...

非常感谢你的交流。
但是,我不完全赞同你的观点。
原因:不能仅仅从总态密度的“导带底和价带顶在费米能级(也就是图中E=0处)有少量的重叠”来断定它是半金属,因为有些碱土金属的“导带底和价带顶在费米能级(也就是图中E=0处)也有一定的重叠”。
所以,还应该看一下它的自旋极化态密度图,即自旋向上和向下的两个态密度。如果费米能级与自旋向上的态密度图(能带图也可类似说明问题)相交而处于自旋向下的态密度图的能隙中,则此体系具有明显的自旋极化现象,而该体系则称之为半金属。

不知道我解释的是否正确,请版主和各位虫友指正。鼓励交流。
愿意结识从事第一原理研究的学者!
12楼2009-05-10 19:50:25
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)


fegg7502(金币+1,VIP+0):鼓励交流2 10-26 05:34
引用回帖:
Originally posted by yzcluster at 2009-5-10 15:47:
由你的态密度来看,应该是一种半金属(如果你的态密度计算本身没有什么问题的话)。其导带底和价带顶在费米能级(也就是图中E=0处)有少量的重叠。但是,由于DFT常常低估带隙,所以你要小心,因为真实情况也可能是 ...

版主:
你好。对于这个结果分析中我提出的问题,你有什么建议和看法,欢迎交流。(各位虫友都可以交流,互相学习)

结果分析:
从DOS图中还可引入“赝能隙”(pseudogap)的概念。也即在费米能级两侧分别有两个尖峰,而两个尖峰之间的DOS并不为零。赝能隙直接反映了该体系成键的共价性的强弱:越宽,说明共价性越强。如果分析的是局域态密度(LDOS),那么赝能隙反映 的则是相邻两个原子成键的强弱:赝能隙越宽,说明两个原子成键越强。上述分析的理论基础可从紧束缚理论出发得到解释:实际上,可以认为赝能隙的宽度直接和Hamiltonian矩阵的非对角元相关,彼此间成单调递增的函数关系。

问题:
(1)为什么“赝能隙”能反映体系成键的强弱?(不明白怎样从哈密顿的非对角元分析出来的)
(2)为什么“赝能隙”反映的共价键的强弱?什么反映离子键的强弱?
(3)局域态密度(LDOS)是什么?它和PDOS的区别是什么?
愿意结识从事第一原理研究的学者!
13楼2009-05-10 19:54:30
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人

★ ★ ★
wuchenwf(金币+2,VIP+0):鼓励讨论 5-10 23:39
wuli8(金币+1,VIP+0):O(∩_∩)O谢谢 5-11 21:15
其实,典型的金属的能带填充,无非分为这么几类。第一,就是价带本身就没有充满,比如钠,钾等等,就是这种情况。还有一种情况是,价带本身是满的,比如你所说的碱涂金属,其原子最外层电子为ns2,按道理,在固体时是满价带,应该是半导体或是绝缘体,但是,由于s带跟p带有交叠,导致两个带都不满,所以是金属。典型的金属,一般来说,在费米面附近态密度是很大的,因此费米能级处的电子比较多,有利用导电。

然而,对与半金属,情况就不同了。关键在于,半金属费米面出的态密度比较小,占据电子比较少,因此跟典型的金属比,导电能力很差。但是,半金属跟半导体又不一样。特别是当T=0时,严格来讲,半导体是没有载流子的。但是半金属有载流子(虽然跟正常金属比相差很远。另外,这里不考虑超导相变问题)

你可以看看我发的帖子
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1322428&fpage=1

[ Last edited by yzcluster on 2009-5-10 at 20:48 ]
14楼2009-05-10 20:30:54
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化学小工

木虫 (正式写手)

★ ★ ★
wuchenwf(金币+2,VIP+0):鼓励讨论 5-10 23:40
wuli8(金币+1,VIP+0):O(∩_∩)O谢谢 5-11 21:15
个人感觉这个图不应该认为是价带与导带的重叠,因为vasp的dos并不是非常准,和你的计算参数关系特别大,这样的图我有好多,但是如果从bandstructure中看的话基本上是窄带半导体,而halfmetal的话,至少需要具有自旋带,这个是halfmetal的基本定义,不过我看yzcluster说得大概好像就是这个意思
有问题可以联系我QQ676869820
15楼2009-05-10 20:45:07
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)


wuchenwf(金币+1,VIP+0):鼓励讨论 5-10 23:40
引用回帖:
Originally posted by Wanghui6383 at 2009-5-10 19:50:


非常感谢你的交流。
但是,我不完全赞同你的观点。
原因:不能仅仅从总态密度的“导带底和价带顶在费米能级(也就是图中E=0处)有少量的重叠”来断定它是半金属,因为有些碱土金属的“导带底和价带顶在费米 ...

半金属对应的英文有两种:一为semimetal,一为halfmetal
我感觉你们针对的半金属是不一样的
16楼2009-05-10 21:43:47
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)


wuchenwf(金币+1,VIP+0):鼓励讨论 5-10 23:40
引用回帖:
Originally posted by 化学小工 at 2009-5-10 20:45:
个人感觉这个图不应该认为是价带与导带的重叠,因为vasp的dos并不是非常准,和你的计算参数关系特别大,这样的图我有好多,但是如果从bandstructure中看的话基本上是窄带半导体,而halfmetal的话,至少需要具有自 ...

他说的一应该是semimatal.
17楼2009-05-10 21:44:49
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化学小工

木虫 (正式写手)

对,哈哈,halfmetal还没有好的中文翻译,说得对
有问题可以联系我QQ676869820
18楼2009-05-10 22:40:01
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)


fegg7502(金币+1,VIP+0):thank you very much! 10-26 05:35
引用回帖:
Originally posted by y1ding at 2009-5-10 21:43:

半金属对应的英文有两种:一为semimetal,一为halfmetal
我感觉你们针对的半金属是不一样的

众说纷纭,有点蒙了。为了让这个问题更加明朗化,麻烦版主您对英文中的semi-metal和halfmetal给个明确的区分,最好能给出个图对比一下。
我和广大虫友先谢谢您了。
愿意结识从事第一原理研究的学者!
19楼2009-05-10 22:42:09
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

★ ★ ★
wuli8(金币+3,VIP+0):O(∩_∩)O谢谢 5-11 21:16
引用回帖:
Originally posted by 化学小工 at 2009-5-10 22:40:
对,哈哈,halfmetal还没有好的中文翻译,说得对

您好,首先非常感谢你的交流。
从你的“个人感觉这个图不应该认为是价带与导带的重叠,因为vasp的dos并不是非常准,和你的计算参数关系特别大,这样的图我有好多,但是如果从bandstructure中看的话基本上是窄带半导体,而halfmetal的话,至少需要具有自 ... ”中可以说明,你认为halfmetal需要自旋态密度,而yiding说你说的是semi-metal, 而现在你又说“对,哈哈,halfmetal还没有好的中文翻译,说得对”,这说明你赞同yiding的semi-metal观点。你自相矛盾了???
另外,如果你知道semi-metal和halfmetal的区别,还老家你一解释说明一下,让这个问题明朗化,最好有图说明。多谢。鼓励交流。
愿意结识从事第一原理研究的学者!
20楼2009-05-10 22:49:44
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