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Wanghui6383银虫 (正式写手)
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[交流]
【讨论】第一原理计算结果讨论（系列一） 已有3人参与
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我个人认为：现在第一原理计算正在蓬勃发展，其计算方法层出不穷，但结果有许多都是相同的。如何正确的分析计算的结果，对我们如何深入理解输入和输出结果文件的物理和化学含义，并利用这些结果说明自己所研究的问题，从而达到进一步预言材料的各种性质，我个人认为是非常重要的。 所以我想专门发个贴子讨论一下：提出一些第一原理计算的结果（有些可能是看别人分析过的，但自己没琢磨透彻），拿出来给大家一起讨论讨论，从讨论中大家互相学习，互相进步。 希望得到版主和广大第一原理虫友的支持。 结果分析： 从DOS图中还可引入“赝能隙”（pseudogap）的概念。也即在费米能级两侧分别有两个尖峰，而两个尖峰之间的DOS并不为零。赝能隙直接反映了该体系成键的共价性的强弱：越宽，说明共价性越强。如果分析的是局域态密度（LDOS），那么赝能隙反映 的则是相邻两个原子成键的强弱：赝能隙越宽，说明两个原子成键越强。上述分析的理论基础可从紧束缚理论出发得到解释：实际上，可以认为赝能隙的宽度直接和Hamiltonian矩阵的非对角元相关，彼此间成单调递增的函数关系。 问题： （1）为什么“赝能隙”能反映体系成键的强弱？（不明白怎样从哈密顿的非对角元分析出来的） （2）为什么“赝能隙”反映的共价键的强弱？什么反映离子键的强弱？ （3）局域态密度（LDOS）是什么？它和PDOS的区别是什么？ 好了，先写这么几个问题，欢迎大家一起讨论，共同提高进步。  |
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7楼2009-05-10 11:55:42
10楼2009-05-10 15:47:52
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wuchenwf(金币+2,VIP+0):鼓励讨论 5-10 23:39
wuli8(金币+1,VIP+0):O(∩_∩)O谢谢 5-11 21:15
wuchenwf(金币+2,VIP+0):鼓励讨论 5-10 23:39
wuli8(金币+1,VIP+0):O(∩_∩)O谢谢 5-11 21:15
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其实，典型的金属的能带填充，无非分为这么几类。第一，就是价带本身就没有充满，比如钠，钾等等，就是这种情况。还有一种情况是，价带本身是满的，比如你所说的碱涂金属，其原子最外层电子为ns2，按道理，在固体时是满价带，应该是半导体或是绝缘体，但是，由于s带跟p带有交叠，导致两个带都不满，所以是金属。典型的金属，一般来说，在费米面附近态密度是很大的，因此费米能级处的电子比较多，有利用导电。 然而，对与半金属，情况就不同了。关键在于，半金属费米面出的态密度比较小，占据电子比较少，因此跟典型的金属比，导电能力很差。但是，半金属跟半导体又不一样。特别是当T=0时，严格来讲，半导体是没有载流子的。但是半金属有载流子（虽然跟正常金属比相差很远。另外，这里不考虑超导相变问题） 你可以看看我发的帖子 http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1322428&fpage=1 [ Last edited by yzcluster on 2009-5-10 at 20:48 ] |
14楼2009-05-10 20:30:54
24楼2009-05-11 15:46:12