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Wanghui6383

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[交流] 【讨论】第一原理计算结果讨论（系列一）已有3人参与

我个人认为：现在第一原理计算正在蓬勃发展，其计算方法层出不穷，但结果有许多都是相同的。如何正确的分析计算的结果，对我们如何深入理解输入和输出结果文件的物理和化学含义，并利用这些结果说明自己所研究的问题，从而达到进一步预言材料的各种性质，我个人认为是非常重要的。
所以我想专门发个贴子讨论一下：提出一些第一原理计算的结果（有些可能是看别人分析过的，但自己没琢磨透彻），拿出来给大家一起讨论讨论，从讨论中大家互相学习，互相进步。
希望得到版主和广大第一原理虫友的支持。

结果分析：
从DOS图中还可引入“赝能隙”（pseudogap）的概念。也即在费米能级两侧分别有两个尖峰，而两个尖峰之间的DOS并不为零。赝能隙直接反映了该体系成键的共价性的强弱：越宽，说明共价性越强。如果分析的是局域态密度（LDOS），那么赝能隙反映的则是相邻两个原子成键的强弱：赝能隙越宽，说明两个原子成键越强。上述分析的理论基础可从紧束缚理论出发得到解释：实际上，可以认为赝能隙的宽度直接和Hamiltonian矩阵的非对角元相关，彼此间成单调递增的函数关系。

问题：
（1）为什么“赝能隙”能反映体系成键的强弱？（不明白怎样从哈密顿的非对角元分析出来的）
（2）为什么“赝能隙”反映的共价键的强弱？什么反映离子键的强弱？
（3）局域态密度（LDOS）是什么？它和PDOS的区别是什么？

好了，先写这么几个问题，欢迎大家一起讨论，共同提高进步。

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愿意结识从事第一原理研究的学者！

1楼 2009-05-09 14:08:32

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Wanghui6383

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★
fegg7502(金币+1,VIP+0):鼓励交流2 10-26 05:34

引用回帖:

Originally posted by yzcluster at 2009-5-10 15:47:
由你的态密度来看，应该是一种半金属（如果你的态密度计算本身没有什么问题的话）。其导带底和价带顶在费米能级（也就是图中E=0处）有少量的重叠。但是，由于DFT常常低估带隙，所以你要小心，因为真实情况也可能是 ...

版主：
你好。对于这个结果分析中我提出的问题，你有什么建议和看法，欢迎交流。（各位虫友都可以交流，互相学习）

结果分析：
从DOS图中还可引入“赝能隙”（pseudogap）的概念。也即在费米能级两侧分别有两个尖峰，而两个尖峰之间的DOS并不为零。赝能隙直接反映了该体系成键的共价性的强弱：越宽，说明共价性越强。如果分析的是局域态密度（LDOS），那么赝能隙反映的则是相邻两个原子成键的强弱：赝能隙越宽，说明两个原子成键越强。上述分析的理论基础可从紧束缚理论出发得到解释：实际上，可以认为赝能隙的宽度直接和Hamiltonian矩阵的非对角元相关，彼此间成单调递增的函数关系。

问题：
（1）为什么“赝能隙”能反映体系成键的强弱？（不明白怎样从哈密顿的非对角元分析出来的）
（2）为什么“赝能隙”反映的共价键的强弱？什么反映离子键的强弱？
（3）局域态密度（LDOS）是什么？它和PDOS的区别是什么？