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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

[交流] 【讨论】第一原理计算结果讨论(系列一)已有3人参与

我个人认为:现在第一原理计算正在蓬勃发展,其计算方法层出不穷,但结果有许多都是相同的。如何正确的分析计算的结果,对我们如何深入理解输入和输出结果文件的物理和化学含义,并利用这些结果说明自己所研究的问题,从而达到进一步预言材料的各种性质,我个人认为是非常重要的。
所以我想专门发个贴子讨论一下:提出一些第一原理计算的结果(有些可能是看别人分析过的,但自己没琢磨透彻),拿出来给大家一起讨论讨论,从讨论中大家互相学习,互相进步。
希望得到版主和广大第一原理虫友的支持。

结果分析:
从DOS图中还可引入“赝能隙”(pseudogap)的概念。也即在费米能级两侧分别有两个尖峰,而两个尖峰之间的DOS并不为零。赝能隙直接反映了该体系成键的共价性的强弱:越宽,说明共价性越强。如果分析的是局域态密度(LDOS),那么赝能隙反映 的则是相邻两个原子成键的强弱:赝能隙越宽,说明两个原子成键越强。上述分析的理论基础可从紧束缚理论出发得到解释:实际上,可以认为赝能隙的宽度直接和Hamiltonian矩阵的非对角元相关,彼此间成单调递增的函数关系。

问题:
(1)为什么“赝能隙”能反映体系成键的强弱?(不明白怎样从哈密顿的非对角元分析出来的)
(2)为什么“赝能隙”反映的共价键的强弱?什么反映离子键的强弱
(3)局域态密度(LDOS)是什么?它和PDOS的区别是什么?

好了,先写这么几个问题,欢迎大家一起讨论,共同提高进步。
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by Gerald2370 at 2009-5-26 13:32:
学习了一下

别光学习哦,记得如果有帮助了,给个好评哦,呵呵
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35楼2009-05-26 13:53:35
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cocolv

木虫 (正式写手)

★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
yjr(金币+2,VIP+0):多谢 6-26 20:36
引用回帖:
Originally posted by Wanghui6383 at 2009-5-12 08:55:


谢谢的答复。基本明白你的意思了。
也就是说semimetal是我们常说的半金属,用于区分半导体盒金属的。
而halfmetal是重自旋极化的态密度图得出的定义。那这个halfmetal应该怎么翻译呢?很容易新手误认为是“ ...

semimetal 是一种由于导带与价带有少量交叠而使其宏观输运性质介于典型的金属与绝缘体之间的半金属;而halfmetal 通常表现为具有金属性的磁性化合物,但是从其能带或态密度图分析,其上下自旋子带分别有金属性和绝缘性,从而实现了金属性与绝缘性在微观尺度上的共存。为了区分两种概念,可称halfmetal为“半金属磁体”。
37楼2009-06-26 16:33:26
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encke

木虫 (著名写手)

★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
fegg7502(金币+2,VIP+0):thank you very much! 10-26 05:38
称halfmetal为“半金属磁体”没错,但真正的定义是单自旋金属,即自旋向上spin up子带为金属特性,而自旋向下spin down子带为半导体(绝缘体),简单说就是spinup无带隙,spindn有带隙。这种金属(合金)的导电电子具有单一自旋极化状态,极化率为100%,是当前磁学领域研究最热的自旋电子学器件的基础材料。
40楼2009-10-25 21:51:04
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普通回帖

Wanghui6383

银虫 (正式写手)

请各位虫友不吝讨论,对与错不重要,关键是各抒己见,共同探讨一下,多谢各位。
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2楼2009-05-09 16:07:06
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

顶一下,别沉帖了。鼓励交流
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3楼2009-05-09 17:53:10
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kzbrave

好深奥,都看不出来属于哪个学科的
4楼2009-05-09 21:49:47
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by kzbrave at 2009-5-9 21:49:
好深奥,都看不出来属于哪个学科的

呵呵,不会吧。欢迎多提宝贵意见
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5楼2009-05-09 22:43:06
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nihaifang-

铁虫 (小有名气)

太难了,我也看不懂呀
6楼2009-05-10 11:26:55
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人


wuchenwf(金币+1,VIP+0): 鼓励讨论 5-10 23:39
“也即在费米能级两侧分别有两个尖峰,而两个尖峰之间的DOS并不为零”这句话是什么意思?
D

[ Last edited by wuli8 on 2009-5-11 at 21:11 ]
7楼2009-05-10 11:55:42
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

★ ★ ★
fegg7502(金币+3,VIP+0):鼓励交流! 5-10 18:53
引用回帖:
Originally posted by yzcluster at 2009-5-10 11:55:
“也即在费米能级两侧分别有两个尖峰,而两个尖峰之间的DOS并不为零”这句话是什么意思?

(1)"在费米能级两侧分别有两个尖峰,而两个尖峰之间的DOS并为零的话“,这应该是半导体或绝缘体的态密度,这点不知道版主同意与否?
(2)”在费米能级两侧分别有两个尖峰,而两个尖峰之间的DOS并不为零的话“,如下图所示:

不知道我解释清楚了没有。如果清楚了,还请多多提宝贵建议。多谢。

[ Last edited by wuli8 on 2009-5-11 at 21:11 ]
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8楼2009-05-10 13:28:00
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Wanghui6383

银虫 (正式写手)

★ ★ ★
fegg7502(金币+3,VIP+0):鼓励交流! 5-10 18:53
上面第一个说错了:
改正如下:
(1)"在费米能级两侧分别有两个尖峰,而两个尖峰之间的DOS为零的话“,这应该是半导体或绝缘体的态密度,这点不知道版主同意与否?
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9楼2009-05-10 13:30:22
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人

★ ★
fegg7502(金币+2,VIP+0):鼓励交流! 5-10 18:53
由你的态密度来看,应该是一种半金属(如果你的态密度计算本身没有什么问题的话)。其导带底和价带顶在费米能级(也就是图中E=0处)有少量的重叠。但是,由于DFT常常低估带隙,所以你要小心,因为真实情况也可能是窄带隙半导体。
10楼2009-05-10 15:47:52
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