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【讨论】计算BiVO4能带结构的疑问?
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本人初学,用CASTEP算单斜BiVO4的能带结构,结果很意外。 计算设置: Task:energy quality: medium Functional: GGA+PBE Cut-off: 300 eV K point: 5*5*2 计算完成后发现居然没有能带间隙。我改动过K点和cut-off,对结果没有影响。会是什么原因啊?什么因素的设置会影响能带结构或者带隙宽度啊? 附:单斜BiVO4的晶格数据: SG Number: 15 Cryst Sys: monoclinic Unit Cell: 5.197 5.096 11.702 90. 90. 90.4 Atom # OX x y z Bi 1 +3 0 0.25 0.6337(1) V 1 +5 0 0.25 0.1352(5) O 1 -2 0.149(3) 0.506(8) 0.210(2) O 2 -2 0.258(3) 0.379(8) 0.451(2) DOS图 |
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zxzj05
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7楼2009-05-05 11:04:32
gavinliu7390
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2楼2009-04-30 17:58:46
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