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【讨论】计算BiVO4能带结构的疑问？
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本人初学，用CASTEP算单斜BiVO4的能带结构，结果很意外。 计算设置： Task：energy quality: medium Functional: GGA+PBE Cut-off: 300 eV K point: 5*5*2 计算完成后发现居然没有能带间隙。我改动过K点和cut-off，对结果没有影响。会是什么原因啊？什么因素的设置会影响能带结构或者带隙宽度啊？ 附：单斜BiVO4的晶格数据： SG Number： 15 Cryst Sys： monoclinic Unit Cell： 5.197 5.096 11.702 90. 90. 90.4 Atom # OX x y z Bi 1 +3 0 0.25 0.6337(1) V 1 +5 0 0.25 0.1352(5) O 1 -2 0.149(3) 0.506(8) 0.210(2) O 2 -2 0.258(3) 0.379(8) 0.451(2) DOS图 |
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4楼2009-04-30 19:35:35
gavinliu7390
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叶落鹰飞
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2楼2009-04-30 17:58:46
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050610727
木虫 (著名写手)
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5楼2009-05-01 11:17:38
