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8163

至尊木虫 (著名写手)

[交流] 【讨论】计算BiVO4能带结构的疑问?

本人初学,用CASTEP算单斜BiVO4的能带结构,结果很意外。
计算设置:
Task:energy
quality: medium
Functional: GGA+PBE
Cut-off: 300 eV
K point: 5*5*2
计算完成后发现居然没有能带间隙。我改动过K点和cut-off,对结果没有影响。会是什么原因啊?什么因素的设置会影响能带结构或者带隙宽度啊?
附:单斜BiVO4的晶格数据:
SG Number:  15
Cryst Sys:  monoclinic
Unit Cell:   5.197 5.096 11.702 90. 90. 90.4
Atom  #     OX        x             y               z           
Bi     1     +3          0            0.25        0.6337(1)      
V      1     +5         0            0.25        0.1352(5)     
O      1     -2         0.149(3)    0.506(8)    0.210(2)     
O      2     -2         0.258(3)    0.379(8)    0.451(2)   
DOS图
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gavinliu7390

木虫 (著名写手)

叶落鹰飞

是不是有磁性啊!
真理是一点点接近的!
2楼2009-04-30 17:58:46
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8163

至尊木虫 (著名写手)


wuchenwf(金币+1):谢谢
不是性质的问题。BiVO4的能带结构文献有报道。计算的带隙宽度为2.3eV左右。
但是文献中没有详细的设置描述。只说明了用GGA+PBE方法
3楼2009-04-30 18:11:15
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人

★ ★
wuchenwf(金币+1):谢谢
8163(金币+1,VIP+0):优化过的。没有变化 5-3 15:17
我觉得TASK应该先优化一下,不要直接计算能量,虽然你的晶格结构可能是合理的。如果不行,还有其他的办法。

[ Last edited by yzcluster on 2009-4-30 at 19:36 ]
4楼2009-04-30 19:35:35
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050610727

木虫 (著名写手)

★ ★
zdhlover(金币+1,VIP+0):呵呵,正解 5-1 22:58
8163(金币+1,VIP+0):谢谢,这个结构是合理的。优化过没有变化。不应该是这个问题。 5-3 15:18
你先要对晶格结构进行一下优化的
不要直接进行能带结构的计算
Whenyou'regoodtoothers,youarebesttoyourself!
5楼2009-05-01 11:17:38
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8163

至尊木虫 (著名写手)

怎么没有高手出现啊。
哪位帮忙算一下,不优化的话十几分钟就可以了。看看是不是会出现同样的问题。
6楼2009-05-05 09:42:15
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zxzj05

荣誉版主 (著名写手)


8163(金币+1,VIP+0):xiexie. 结构优化过,和别人也比较过,有问题才问的。文献上的参数不会给得很详细的。LDA+U没有算过。方法不同会差这么多吗。 5-5 15:02
第一,检验结构是否有问题,
二,优化结构!

三,和别人的计算做过对比吗,
别人是不是也是这样,
取比人的参数重新计算试试,验证参数是不是有问题

四,LDA+U算算看
储氢家族欢迎储氢研究者!
7楼2009-05-05 11:04:32
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wenmenkui

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by 8163 at 2009-5-5 09:42:
怎么没有高手出现啊。
哪位帮忙算一下,不优化的话十几分钟就可以了。看看是不是会出现同样的问题。

不优化怎么行啊,肯定要先结构优化
8楼2009-05-05 19:06:53
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8163

至尊木虫 (著名写手)

可是优化后晶格数据好像都没有变化啊。
9楼2009-05-05 19:29:48
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