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如何用VASP优化二维材料结构
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 一般来说，二维材料会有一个非常大的真空层作为z轴，而VASP的ISIF参数常用的有3个，ISIF=2表示不动晶格只优化原子位置，ISIF=3表示晶格，体积与原子位置都优化，而ISIF=4表示晶格与原子位置优化，体积不发生变化。 二维材料比如说从实验的范德华式的层状材料剥离出来，因此需要优化原子位置与晶格参数，请问各位虫友都是怎么样解决这个问题，我所了解的至少有以下方案： 1. 使用ISIF=3优化，在PBE+D3泛函下，我发现真空层会减少很多，甚至直接减少到零，然后报错。精度不是很高的情况下（10e-5 eV与 0.005 eV/A）能够优化出结果。 2. 使用ISIF=4优化，基本上由于体积限制真空层不会变化太多，然后对于优化后的平衡晶格常数进行0.5% 1%的拉伸，画出E-V曲线，找到能量最低点。 3. 使用ISIF=3优化，但是重新编译VASP，使得其只改变xy平面内的参数，z轴真空层能够保持不变，z轴也始终与xy平面垂直。或许先粗糙再精确的收敛条件能够得到比较好的结果。 不知各位是怎么看的？二维材料也是比较热的材料体系，还是想拿到一个尽可能精确的结构！ |
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hstommy(金币+1): 谢谢参与
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