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马苗苗马苗苗

新虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 11.5
帖子: 166
在线: 41.7小时
虫号: 5036236

[交流] 为什么材料微晶硅在太阳光谱中波长的吸收限是6020-1100nm

硅时半导体电池，微晶硅的带宽为1.13eV，文献中画出它在太阳光中吸收边为600nm-1100nm，那波长小于600nm的光就不吸收了吗？难道300nm左右紫外光区就不能激发微晶硅价带的电子了？想不明白，不知道哪块知识还没想到，希望有人可以为我解惑，谢谢

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1楼 2017-12-07 09:00:50

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

杜敏永

银虫 (初入文坛)

应助: 1 (幼儿园)
金币: 343
帖子: 37
在线: 24.2小时
虫号: 2734845

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖

微晶硅材料是硅基材料，其带隙一般随着晶化率的变化而变化，那么其带隙是介于非晶和晶硅之间（1.1~1.75）。该种材料的吸收不是600nm~1100nm。如果没说错的话，你说的有可能是该种材料作为太阳电池底电池的EQE响应。该种材料的吸收可以从300到1100nm，波长低于600nm的光子能量高，更容易激发电子空穴对，故300到1100nm的光均可以吸收，这在单结微晶硅电池的EQE响应可以看出。而在300nm的响应低不是因为在该波段材料吸收低，相反，在该波段吸收反而高，在EQE上效率低是因为，这部分光被顶部的ITO和窗口层p强烈吸收。建议楼主看熊少珍老师编写的《太阳能电池基础与应用》第五章闫宝杰老师写的硅基薄膜太阳电池，里面有详细介绍。