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[交流]
为什么材料微晶硅在太阳光谱中波长的吸收限是6020-1100nm
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| 硅时半导体电池，微晶硅的带宽为1.13eV，文献中画出它在太阳光中吸收边为600nm-1100nm，那波长小于600nm的光就不吸收了 吗？难道300nm左右紫外光区就不能激发微晶硅价带的电子了？想不明白，不知道哪块知识还没想到，希望有人可以为我解惑，谢谢 |
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12楼2017-12-07 17:52:27
13楼2017-12-07 19:42:12
14楼2017-12-07 21:43:51
15楼2017-12-07 22:00:29
16楼2017-12-07 23:57:22
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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| 微晶硅材料是硅基材料，其带隙一般随着晶化率的变化而变化，那么其带隙是介于非晶和晶硅之间（1.1~1.75）。该种材料的吸收不是600nm~1100nm。如果没说错的话，你说的有可能是该种材料作为太阳电池底电池的EQE响应。该种材料的吸收可以从300到1100nm，波长低于600nm的光子能量高，更容易激发电子空穴对，故300到1100nm的光均可以吸收，这在单结微晶硅电池的EQE响应可以看出。而在300nm的响应低不是因为在该波段材料吸收低，相反，在该波段吸收反而高，在EQE上效率低是因为，这部分光被顶部的ITO和窗口层p强烈吸收。建议楼主看熊少珍老师编写的《太阳能电池基础与应用》第五章闫宝杰老师写的硅基薄膜太阳电池，里面有详细介绍。 |
17楼2017-12-12 15:12:37
18楼2017-12-13 22:03:32
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复伦wl2楼
2017-12-07 09:32
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祝福
2017-12-07 09:32
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uuwdv5734楼
2017-12-07 09:34
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2017-12-07 09:47
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pxscy5066楼
2017-12-07 10:13
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nxpmrp467楼
2017-12-07 10:16
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fyxpv7078楼
2017-12-07 10:17
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2017-12-07 10:19
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10652342810楼
2017-12-07 10:24
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pqedm83811楼
2017-12-07 10:29
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