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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 原子、分子&光学 » 为什么材料微晶硅在太阳光谱中波长的吸收限是6020-1100nm
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马苗苗马苗苗

新虫 (小有名气)

[交流] 为什么材料微晶硅在太阳光谱中波长的吸收限是6020-1100nm

硅时半导体电池，微晶硅的带宽为1.13eV，文献中画出它在太阳光中吸收边为600nm-1100nm，那波长小于600nm的光就不吸收了 吗？难道300nm左右紫外光区就不能激发微晶硅价带的电子了？想不明白，不知道哪块知识还没想到，希望有人可以为我解惑，谢谢
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1楼 2017-12-07 09:00:50
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夕阳西下

金虫 (著名写手)
★
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吸收边为600nm-1100nm意味着只有这些波段的光才能吸收。看看半导体物理关于能级这一块就明白了。
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12楼2017-12-07 17:52:27
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--八云--

专家顾问 (知名作家)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
文献里画的是吸收谱还是EQE

EQE在短波长部分较低不稀奇
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13楼2017-12-07 19:42:12
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马苗苗马苗苗

新虫 (小有名气)
引用回帖:
13楼: Originally posted by --八云-- at 2017-12-07 19:42:12
文献里画的是吸收谱还是EQE

EQE在短波长部分较低不稀奇

横坐标是波长，纵坐标是nW/nm/cm-2
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14楼2017-12-07 21:43:51
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马苗苗马苗苗

新虫 (小有名气)
引用回帖:
12楼: Originally posted by 夕阳西下 at 2017-12-07 17:52:27
吸收边为600nm-1100nm意味着只有这些波段的光才能吸收。看看半导体物理关于能级这一块就明白了。

那么小于600nm波长的光有全都透过了，请问前辈，我说的对吗
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15楼2017-12-07 22:00:29
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--八云--

专家顾问 (知名作家)
★
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引用回帖:
14楼: Originally posted by 马苗苗马苗苗 at 2017-12-07 15:43:51
横坐标是波长，纵坐标是nW/nm/cm-2...

我没见过你说的这篇文献

建议多找一些文献对比着看
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16楼2017-12-07 23:57:22
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杜敏永

银虫 (初入文坛)
★
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微晶硅材料是硅基材料，其带隙一般随着晶化率的变化而变化，那么其带隙是介于非晶和晶硅之间（1.1~1.75）。该种材料的吸收不是600nm~1100nm。如果没说错的话，你说的有可能是该种材料作为太阳电池底电池的EQE响应。该种材料的吸收可以从300到1100nm，波长低于600nm的光子能量高，更容易激发电子空穴对，故300到1100nm的光均可以吸收，这在单结微晶硅电池的EQE响应可以看出。而在300nm的响应低不是因为在该波段材料吸收低，相反，在该波段吸收反而高，在EQE上效率低是因为，这部分光被顶部的ITO和窗口层p强烈吸收。建议楼主看熊少珍老师编写的《太阳能电池基础与应用》第五章闫宝杰老师写的硅基薄膜太阳电池，里面有详细介绍。
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17楼2017-12-12 15:12:37
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马苗苗马苗苗

新虫 (小有名气)
引用回帖:
17楼: Originally posted by 杜敏永 at 2017-12-12 15:12:37
微晶硅材料是硅基材料，其带隙一般随着晶化率的变化而变化，那么其带隙是介于非晶和晶硅之间（1.1~1.75）。该种材料的吸收不是600nm~1100nm。如果没说错的话，你说的有可能是该种材料作为太阳电池底电池的EQE响应。 ...

您看看我就是看到这个图，发现那个硅材料对应的波段是600到1100，而波长小于600nm的则没有被包围
为什么材料微晶硅在太阳光谱中波长的吸收限是6020-1100nm
TIM图片20171213215817.png
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18楼2017-12-13 22:03:32
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复伦wl2楼
2017-12-07 09:32   回复  
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dongmings3楼
2017-12-07 09:32   回复  
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uuwdv5734楼
2017-12-07 09:34   回复  
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pmjbdke2405楼
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pxscy5066楼
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nxpmrp467楼
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fyxpv7078楼
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mtyccvq799楼
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10652342810楼
2017-12-07 10:24   回复  
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pqedm83811楼
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