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关于使用XRD测量位错密度的问题
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| 采用XRD测量位错密度时,根据WH方法,由晶面间距的变化(位错、固溶原子等引起晶格畸变)造成的衍射峰宽化可以用平均有效微应变描述:δe,hkl=2etan2θ。如果2θ大于90℃时,tan2θ为负值了。但我看文献中根据上式求出的δe,hkl,有效微应变e都是正的呀?请问各位大神是怎么回事?是要取tan2θ的绝对值么? |
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2楼2017-11-02 09:58:20
315030850
木虫 (正式写手)
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3楼2017-11-02 12:11:53
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