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关于使用XRD测量位错密度的问题
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| 采用XRD测量位错密度时，根据WH方法，由晶面间距的变化(位错、固溶原子等引起晶格畸变)造成的衍射峰宽化可以用平均有效微应变描述：δe,hkl=2etan2θ。如果2θ大于90℃时，tan2θ为负值了。但我看文献中根据上式求出的δe,hkl，有效微应变e都是正的呀？请问各位大神是怎么回事？是要取tan2θ的绝对值么？ |
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