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chenghua

[交流] 【求助】半导体光学吸收系数与禁带宽度的关系

请教各位,对于半导体来说,可不可以这样表述:半导体的禁带宽度越大,其光学吸收系数越小;禁带宽度越小,其光学吸收系数越大。

[ Last edited by ddx-k on 2009-1-9 at 10:46 ]
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Zhang1978

金虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
这要看具体的材料,不能一概而论
7楼2009-06-06 20:25:50
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

貌似有点关系,但是觉的这样说不是太严谨,我看过有人认为吸收是ln(1/T),t是透射率(%)。
2楼2009-01-09 10:47:53
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bluesky238

木虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★
ddx-k(金币+1,VIP+0):谢谢,还要多多向你学习。
chenghua(金币+3,VIP+0):谢谢
dawnlight(金币+1,VIP+0):3x 6-6 17:11
这个说法不对,光学吸收系数是跟波长有关的,直接带隙吸收系数正比与根号(hv-Eg),间接带隙正比与(hv-Eg)3/2次方,在小于带隙对应的光波段中,吸收比较少,当然也有另外的吸收方式,总体来说吸收是跟折射率有关
3楼2009-01-09 11:10:56
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04120152

木虫 (著名写手)


★ ★ ★
ddx-k(金币+1,VIP+0):谢谢参与
chenghua(金币+2,VIP+0):谢谢
首先,光子能量hv大于禁带宽度的光照到半导体表面被吸收,吸收几率与深度无关;
吸收系数与波长和材料种类有关。光子能量越大,吸收系数越强
4楼2009-01-09 13:32:58
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