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chenghua

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[交流] 【求助】半导体光学吸收系数与禁带宽度的关系

请教各位，对于半导体来说，可不可以这样表述：半导体的禁带宽度越大，其光学吸收系数越小；禁带宽度越小，其光学吸收系数越大。

[ Last edited by ddx-k on 2009-1-9 at 10:46 ]

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1楼 2009-01-09 09:47:24

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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

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专业: 无机非金属类光电信息与功
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貌似有点关系，但是觉的这样说不是太严谨，我看过有人认为吸收是ln（1/T），t是透射率（%）。

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2楼2009-01-09 10:47:53

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bluesky238

木虫 (正式写手)

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★ ★ ★ ★ ★
ddx-k(金币+1,VIP+0):谢谢，还要多多向你学习。
chenghua(金币+3,VIP+0):谢谢
dawnlight(金币+1,VIP+0):3x 6-6 17:11

这个说法不对，光学吸收系数是跟波长有关的，直接带隙吸收系数正比与根号（hv-Eg)，间接带隙正比与（hv-Eg)3/2次方，在小于带隙对应的光波段中，吸收比较少，当然也有另外的吸收方式，总体来说吸收是跟折射率有关

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3楼2009-01-09 11:10:56

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04120152

木虫 (著名写手)

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★ ★ ★
ddx-k(金币+1,VIP+0):谢谢参与
chenghua(金币+2,VIP+0):谢谢

首先，光子能量hv大于禁带宽度的光照到半导体表面被吸收，吸收几率与深度无关；
吸收系数与波长和材料种类有关。光子能量越大，吸收系数越强

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4楼2009-01-09 13:32:58

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haode22

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★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流

引用回帖:

Originally posted by bluesky238 at 2009-1-9 11:10:
这个说法不对，光学吸收系数是跟波长有关的，直接带隙吸收系数正比与根号（hv-Eg)，间接带隙正比与（hv-Eg)3/2次方，在小于带隙对应的光波段中，吸收比较少，当然也有另外的吸收方式，总体来说吸收是跟折射率有关

允许的直接带隙吸收系数正比与根号（hv-Eg)，禁戒的直接带隙正比与（hv-Eg)3/2次方

参考《固体光谱学》方容川

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逐渐成为工作狂，技术狂.............