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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 光学材料 » 【求助】半导体光学吸收系数与禁带宽度的关系
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chenghua

[交流] 【求助】半导体光学吸收系数与禁带宽度的关系

请教各位，对于半导体来说，可不可以这样表述：半导体的禁带宽度越大，其光学吸收系数越小；禁带宽度越小，其光学吸收系数越大。

[ Last edited by ddx-k on 2009-1-9 at 10:46 ]
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1楼 2009-01-09 09:47:24
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II
貌似有点关系，但是觉的这样说不是太严谨，我看过有人认为吸收是ln（1/T），t是透射率（%）。
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2楼2009-01-09 10:47:53
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bluesky238

木虫 (正式写手)
★ ★ ★ ★ ★
ddx-k(金币+1,VIP+0):谢谢，还要多多向你学习。
chenghua(金币+3,VIP+0):谢谢
dawnlight(金币+1,VIP+0):3x 6-6 17:11
这个说法不对，光学吸收系数是跟波长有关的，直接带隙吸收系数正比与根号（hv-Eg)，间接带隙正比与（hv-Eg)3/2次方，在小于带隙对应的光波段中，吸收比较少，当然也有另外的吸收方式，总体来说吸收是跟折射率有关
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3楼2009-01-09 11:10:56
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04120152

木虫 (著名写手)
★ ★ ★
ddx-k(金币+1,VIP+0):谢谢参与
chenghua(金币+2,VIP+0):谢谢
首先，光子能量hv大于禁带宽度的光照到半导体表面被吸收，吸收几率与深度无关；
吸收系数与波长和材料种类有关。光子能量越大，吸收系数越强
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4楼2009-01-09 13:32:58
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haode22

金虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
引用回帖:
Originally posted by bluesky238 at 2009-1-9 11:10:
这个说法不对，光学吸收系数是跟波长有关的，直接带隙吸收系数正比与根号（hv-Eg)，间接带隙正比与（hv-Eg)3/2次方，在小于带隙对应的光波段中，吸收比较少，当然也有另外的吸收方式，总体来说吸收是跟折射率有关

允许的直接带隙吸收系数正比与根号（hv-Eg)，禁戒的直接带隙正比与（hv-Eg)3/2次方

参考《固体光谱学》方容川
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逐渐成为工作狂，技术狂.............
5楼2009-06-06 10:52:14
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主
lz概念不清呀
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姿曰:年轻会结束，在结束以前，把想做的事做完吧!
6楼2009-06-06 17:14:27
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Zhang1978

金虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
这要看具体的材料，不能一概而论
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7楼2009-06-06 20:25:50
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anbb1009

金虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
恩，同意楼上的观点...
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8楼2009-06-06 22:28:59
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longxtx202

金虫 (小有名气)
楼主说得太笼统了

要考虑不同材料、不同光波长等因素
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9楼2009-06-06 23:24:50
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
是的，即使是最简单的能带模型，吸收系数也至少是频率的函数，不同频率，系数不同。更不要说考虑其他更为复杂的实际因素了。
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10楼2009-06-06 23:56:43
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