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为我中华321新虫 (正式写手)
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[求助]
缺陷石墨烯的XPS分峰问题，主要是O1s，去除氧化硅的污染
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A4.2W为缺陷石墨烯。全谱当中测得有氧化硅的污染，我的方法是对O1s分出所有峰，找出氧化硅的峰，然后在总体的O1s中减除该峰，得到最终的结果。但是审稿人不满意我的分峰结果。哪位专业人士可以帮帮忙分析一下，给一些建议，谢谢！ 审稿人的意见：Thank you for submitting your revised manuscript. Unfortunately, I'm afraid I do not agree with the peak fitting you show in the O 1s narrow scan you added to the manuscript. Can you take another look at this? Please also carefully check the peak fitting in the C 1s spectrum you added.  GJ28GFBJ5YNLYC5RQ8PJJNV.jpg  全谱.png  O1s.png  Si2p.png |
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3楼2018-05-28 18:32:54
hxju
木虫 (小有名气)
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审稿人是对的，你的解谱有问题。“在总体的O1s中减除该峰”，这是非常严重的问题，可以判断弄虚做假。如果有污染，把SiO的信号注明在里面就可以了，切不可以私自删掉。另外，解谱的参数不是随意选用的，例如O 1s中，O物种的半高宽应该类似才对，不是有的是0.96，有的是2.5，这是及其不合理的。 发自小木虫Android客户端 |
2楼2017-04-23 14:49:03