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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 求教通过VASP 对材料加电场问题
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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努力的向日葵

铁虫 (小有名气)

[求助] 求教通过VASP 对材料加电场问题 已有4人参与

我主要研究是Ge2Sb2Te5,现在想通过VASP计算来研究加入电场对其能带及态密度的影响。从查阅到的资料来看，加入电场是在第二部自洽过程中在INCAR参数里加入EFIELD、LDIPOL、IDIPOL三个参数，但是经过尝试，将这三个参数多次改变后得到的dos和band没有任何变化，所以想请教各位是什么原因导致的。是哪个过程出错，还是加电场不该如此？该如何调整？下面贴出来的是一次计算自洽的INCAR文件。最后希望对这一过程清楚的虫友不吝赐教。还有很抱歉我现在能提供的金币有限。

SYSTEM=Ge2Sb2Te5
ISYM=0
ISTART = 0
ICHARG = 2
EDIFF = 0.003
#EDIFFG=-0.03
#NSW=400
NELM=400
#IBRION = 2
ISIF = 2
ISMEAR=0
SIGMA=0.02
ENCUT=400
PREC=Normal
SIGMA=0.05
NBANDS=29 //（离子总数+电子总数）/2
LREAL=.FALSE.
#ISPIN=2
ALGO=Fast
LWAVE=.F
LELF=.TRUE
LCHARG=.TURE
NGX=21
NGY=21
NGZ=84
#LORBIT=11
NPAR=1
EFIELD=0.1
LDIPOL=.TURE
IDIPOL=2
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1楼 2017-04-06 15:07:49
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hugoxia

木虫 (正式写手)
目前也在做加电场的研究，留名关注
赞一下 回复此楼
你可以漠视我的存在，但不能漠视我的努力。
8楼2017-04-07 16:06:19
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查看全部 9 个回答

努力的向日葵

铁虫 (小有名气)
我现在做的只是单胞。听说好像要加入一个真空层，那么该如何加入呢？
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2楼2017-04-06 15:09:51
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zhangfrank

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
努力的向日葵(蛋蛋小童鞋代发): 金币+3, 谢谢参与，小木虫鼓励积极回答问题者 2017-04-07 10:37:05
在MS中 cleave surface， add vaccum
赞一下 回复此楼
计算顺利点吧
3楼2017-04-07 09:47:36
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前田庆次

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
1. vasp加电场是通过偶极矩实现的，你要是块体材料，能不能加电场，我不清楚……
2. 加电场不是第二步才加的吧……驰豫就要加，你试试看，不一样的……
3. 不是所有体系对于电场都sensitive
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努力的向日葵
长枪一横花飘零，松风追月伴我行。无双人间世如梦，倾奇万世永留名。
4楼2017-04-07 10:59:36
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