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努力的向日葵

铁虫 (小有名气)

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虫号: 5197522
注册: 2016-11-03
专业: 电路与系统

[求助] 求教通过VASP 对材料加电场问题已有4人参与

我主要研究是Ge2Sb2Te5,现在想通过VASP计算来研究加入电场对其能带及态密度的影响。从查阅到的资料来看，加入电场是在第二部自洽过程中在INCAR参数里加入EFIELD、LDIPOL、IDIPOL三个参数，但是经过尝试，将这三个参数多次改变后得到的dos和band没有任何变化，所以想请教各位是什么原因导致的。是哪个过程出错，还是加电场不该如此？该如何调整？下面贴出来的是一次计算自洽的INCAR文件。最后希望对这一过程清楚的虫友不吝赐教。还有很抱歉我现在能提供的金币有限。

SYSTEM=Ge2Sb2Te5
ISYM=0
ISTART = 0
ICHARG = 2
EDIFF = 0.003
#EDIFFG=-0.03
#NSW=400
NELM=400
#IBRION = 2
ISIF = 2
ISMEAR=0
SIGMA=0.02
ENCUT=400
PREC=Normal
SIGMA=0.05
NBANDS=29 //（离子总数+电子总数）/2
LREAL=.FALSE.
#ISPIN=2
ALGO=Fast
LWAVE=.F
LELF=.TRUE
LCHARG=.TURE
NGX=21
NGY=21
NGZ=84
#LORBIT=11
NPAR=1
EFIELD=0.1
LDIPOL=.TURE
IDIPOL=2

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