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求教通过VASP 对材料加电场问题 已有4人参与
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我主要研究是Ge2Sb2Te5,现在想通过VASP计算来研究加入电场对其能带及态密度的影响。从查阅到的资料来看，加入电场是在第二部自洽过程中在INCAR参数里加入EFIELD、LDIPOL、IDIPOL三个参数，但是经过尝试，将这三个参数多次改变后得到的dos和band没有任何变化，所以想请教各位是什么原因导致的。是哪个过程出错，还是加电场不该如此？该如何调整？下面贴出来的是一次计算自洽的INCAR文件。最后希望对这一过程清楚的虫友不吝赐教。还有很抱歉我现在能提供的金币有限。 SYSTEM=Ge2Sb2Te5 ISYM=0 ISTART = 0 ICHARG = 2 EDIFF = 0.003 #EDIFFG=-0.03 #NSW=400 NELM=400 #IBRION = 2 ISIF = 2 ISMEAR=0 SIGMA=0.02 ENCUT=400 PREC=Normal SIGMA=0.05 NBANDS=29 //（离子总数+电子总数）/2 LREAL=.FALSE. #ISPIN=2 ALGO=Fast LWAVE=.F LELF=.TRUE LCHARG=.TURE NGX=21 NGY=21 NGZ=84 #LORBIT=11 NPAR=1 EFIELD=0.1 LDIPOL=.TURE IDIPOL=2 |
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 DFT加电场 |
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