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newton3915铁杆木虫 (正式写手)
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exciton binding energy 已有1人参与
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| 对于某间接带隙半导体，其电子的直接跃迁（同一K点）产生的激子的binding energy是不是要比间接跃迁（不同k点，phonon assisted）产生的激子的binding ernergy要大？有没有相关文献证明？ |
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newton3915
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7楼2017-03-18 22:54:23
lvyan307
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newton3915(漫天飘雪代发): 金币+2, 谢谢交流 2017-03-18 08:44:26
newton3915(漫天飘雪代发): 金币+2, 谢谢交流 2017-03-18 08:44:26
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经常能得到这样的结果，因为通常激子束缚能随能隙增加而增加 当然 也不是都这样 和具体能带和电荷分布有关 发自小木虫IOS客户端 |
2楼2017-03-18 01:10:38
newton3915
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3楼2017-03-18 03:00:39
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4楼2017-03-18 13:04:42
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