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newton3915

铁杆木虫 (正式写手)

[求助] exciton binding energy 已有1人参与

对于某间接带隙半导体,其电子的直接跃迁(同一K点)产生的激子的binding energy是不是要比间接跃迁(不同k点,phonon assisted)产生的激子的binding ernergy要大?有没有相关文献证明?
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newton3915

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by lvyan307 at 2017-03-18 13:57:55
不能说是3.0+0.5,如果你计算了激子的BSE方程,那么间接带隙的fundamental gap,即GW重整化后的间接带隙,应该也计算出来了。...

是的,GW的fundamental gap都计算出来。我说反了,我是先计算了GW的gap,得到了间接直接带隙分别为3.5和4.0eV。然后计算了BSE得到了激子的束缚能为0.5eV。因为BSE的计算只涉及了direct transition(相同的k点),所以和实验比较,实验上的光吸收的直接带隙应该为3.5,但是和实验的间接带隙比较的话,不知道能不能和3.0比较?
7楼2017-03-18 22:54:23
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lvyan307

金虫 (小有名气)

★ ★
newton3915(漫天飘雪代发): 金币+2, 谢谢交流 2017-03-18 08:44:26
经常能得到这样的结果,因为通常激子束缚能随能隙增加而增加  当然  也不是都这样  和具体能带和电荷分布有关

发自小木虫IOS客户端
2楼2017-03-18 01:10:38
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newton3915

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by lvyan307 at 2017-03-18 01:10:38
经常能得到这样的结果,因为通常激子束缚能随能隙增加而增加  当然  也不是都这样  和具体能带和电荷分布有关

如果不考虑带隙的大小呢,假设相同带隙大小的直接带隙和间接带隙半导体,有没有一个这样的规律。
3楼2017-03-18 03:00:39
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lvyan307

金虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by newton3915 at 2017-03-18 03:00:39
如果不考虑带隙的大小呢,假设相同带隙大小的直接带隙和间接带隙半导体,有没有一个这样的规律。...

如果是相同带隙并且能带形状和分布基本相同的两种材料,直接带隙的半导体对应的束缚能大,好比能带有谷简并的材料,谷内跃迁对应的激子束缚能大,谷间的小。
4楼2017-03-18 13:04:42
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