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[求助] 关于泡沫镍上生长石墨烯的超级电容器测试问题已有6人参与

用三电极测试，参比电极Hg/HgO，对电极是Pt丝，工作电极是在泡沫镍上生长的石墨烯电极片(1cm×1cm)，活性物质石墨烯的量是8mg，电解液是6 mol/L的KOH溶液，测试电位窗口0.2-0.6V。有几个问题想请教一下：
1. 测试出的CV曲线不是矩形，是因为基底泡沫镍的缘故吗？，那该如何避免泡沫镍的影响呢？

2. 用CV计算的比电容值非常小，只有20-40F/g左右，扫速10mv/s，是测试的原因还是材料本身有问题？
3. 在CV电压加到0.65V以上时，电极片上就会出现气泡，是电解了水的原因？另外，气泡产生多了之后，长在泡沫镍上的石墨烯会脱落，是因为在泡沫镍表面发生电解水反应，产生的气体将负载的石墨烯挤掉了吗？

4. 单测泡沫镍的CV时，电压稍加高点到0.6V，泡沫镍就立马变黑，是因为生成了氧化镍的缘于吗？该如何避免呢？

5. 每测一次CV，石墨烯的比电容就升高一点，测试了450圈后，由一开始的9F/g变成80F/g了，是泡沫镍的原因还是说石墨烯被活化了？

Ni-gcd-1A/g.png

石墨烯-gcd-1A/g.png

IMG_20170216_183428.jpg

IMG_20170216_183619.jpg

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1楼 2017-02-23 15:31:39

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引用回帖:

7楼: Originally posted by zjlbnsdmm at 2017-02-23 17:13:55
测试窗口一般都是0V一下，不过你的关键原因我觉得是你的石墨烯是氧化石墨烯，随着CV圈数增加氧化石墨烯被还原，氧化石墨烯的导电性很差，容量很小
4 泡沫镍不应该在0.6V变黑，排除你操作问题，是不是参比电极坏了？

0V以下？可是为什么我看的都是最低0V，这个石墨烯是用微波法长上去的，《Facile Synthesis of 3D Graphene Flowers for Ultrasensitive
and Highly Reversible Gas Sensing》，和这篇文章的方法一样，不知道是不是氧化石墨烯。请问泡沫镍应该在多少变黑，在0-0.5V通电久了也会慢慢变黑，泡沫镍在0.7V左右就有气泡产生。参比电极的问题，有其他同学做过实验，是在泡沫镍上用浸渍法负载镍酸镧，比电容还说得过去，有600F/g，不知道怎么判断参加电极坏没有。