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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化基础 » 锂电硅负极
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杉杉小屋

新虫 (小有名气)

[求助] 锂电硅负极 已有3人参与

刚定的研究方向，关于锂电硅负极材料，想寻求纳米硅的合成方法，从硅的化合物变为纳米硅的方法，急求，谢谢

@a88592718 @langzhizhou 发自小木虫Android客户端
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1楼 2017-02-19 16:36:16
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

ywuweizi

版主 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
看你是制备纳米硅球、还是颗粒。adma.200901263，Stober 法制备SiO2 ,Stober法合成均匀硅球的一点经验 ，文献http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3261796&fpage=7。纳米二氧化硅的权威改性论文总汇 ：http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=2894274&fpage=26。主要是多看看崔大师的文献。
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2楼2017-02-19 17:38:07
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bulaofu

捐助贵宾 (正式写手)
楼上上回答别误导了。锂电池负极材料是单质硅，不是二氧化硅。纳米硅合成只能使用气相法，不太可能还原化合物得到。

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5楼2017-02-19 22:03:33
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ywuweizi

版主 (著名写手)
引用回帖:
23楼: Originally posted by 腾飞的虫 at 2017-02-20 17:14:44
一般都是第一次形成SEI膜时锂消耗最多，然后接下来的破裂SEI膜修护一般不会消耗很多锂的。
这个现象常见么？我第一次遇到（可能是接触的电池还不够多），所以也想看能否反推和头脑风暴出什么idea来...

二次库伦效率低，说明硅膨胀厉害，导致需要更多的锂形成SEI膜。就是第一次不稳定的SEI膜受膨胀后脱落部分在电解液中被溶解，所以第二次还需消耗锂形成SEI膜，而没有溶解的SEI膜会在第二次中不断变厚，也要消耗锂形成SEI膜。这种现象在硅负极很少见到第二次小于第一次。
如果按容量损失来评估SEI膜所消耗的锂会更清楚些。
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24楼2017-02-20 17:31:10
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普通回帖

杉杉小屋

新虫 (小有名气)
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3楼2017-02-19 17:56:49
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909786474

银虫 (小有名气)
这个很多吧。氧化亚硅高温歧化再氢氟酸掉二氧化硅，二氧化硅的各种还原（如镁热还原），硅烷的CVD沉积，硅合金的刻蚀，硅晶圆的刻蚀，应该还有很多！

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4楼2017-02-19 21:11:37
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古雨月林

木虫 (著名写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by bulaofu at 2017-02-19 22:03:33
楼上上回答别误导了。锂电池负极材料是单质硅，不是二氧化硅。纳米硅合成只能使用气相法，不太可能还原化合物得到。

你这个也说得未免太绝对了

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6楼2017-02-19 22:37:50
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bulaofu

捐助贵宾 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by 古雨月林 at 2017-02-19 22:37:50
你这个也说得未免太绝对了
...

你的意思是？单质纳米硅还有其他合成方法？

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7楼2017-02-19 23:18:17
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古雨月林

木虫 (著名写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by bulaofu at 2017-02-19 23:18:17
你的意思是？单质纳米硅还有其他合成方法？
...

当然

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8楼2017-02-19 23:20:38
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bulaofu

捐助贵宾 (正式写手)
引用回帖:
8楼: Originally posted by 古雨月林 at 2017-02-19 23:20:38
当然
...

比如？机械？球磨？即使可以做到100nm左右，估计也做不出效果吧，表面被氧化等问题解决不了。

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9楼2017-02-19 23:24:48
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杉杉小屋

新虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 909786474 at 2017-02-19 21:11:37
这个很多吧。氧化亚硅高温歧化再氢氟酸掉二氧化硅，二氧化硅的各种还原（如镁热还原），硅烷的CVD沉积，硅合金的刻蚀，硅晶圆的刻蚀，应该还有很多！

现在一般用哪种方法，性能会好点

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10楼2017-02-20 08:48:04
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