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mauser98k

铜虫 (小有名气)

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[交流] 能否用沉淀法将Mo、W负载在r-氧化铝表面？

能否用沉淀法将Mo、W负载在r-氧化铝表面？之前曾经用沉淀法做过W和Ni负到r-氧化铝上的实验，但是很不成功，活性组分沉淀到载体上后很容易掉下来，焙烧完以后就更容易掉下来了，是不是r-氧化铝不适合做类似的负载？我用的氧化铝是那种比较致密的氧化铝小球，粒径在1.5MM左右。现在我有了新的载体，条状的氧化铝，这种载体很疏松，截面为四叶草型，不知这种载体是否适合沉淀法负载活性金属组分？而且我不知道怎么才能把Mo和W共沉淀下来。

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1楼 2008-12-15 16:33:03

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qm13426292146

木虫 (正式写手)

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mauser98k(金币+1):谢谢参与

引用回帖:

Originally posted by musf at 2008-12-17 15:47:
想请教一下，催化剂载体（氧化硅，氧化铝，氧化钛，分子筛等）一般是多孔的，如何保证
1.浸渍上的活性组分只位于载体表面，或者说在载体表面涂上一层活性组分？
2.浸渍上的活性组分在载体孔道中涂上一层，在不堵 ...

活性组分在载体上的分散（单层，多层）与你的负载量有很大的关系，可以通过计算得到理论单层分散量，当然最终还得通过实验手段（XRD,XPS）来确定，如果负载量小于理论单层分散量的情况下，一般得到的是很均匀的单层分散的cat.