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Ghostridden新虫 (初入文坛)
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等离子体刻蚀技术中的小疑惑求解 已有2人参与
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在半导体等离子体刻蚀技术中，为什么说靠近等离子体的任何东西(应该指的接地的导电物)都会带负电？书上解释是“电子速度快”，但是这个答案我没找到合理的推导关系。求助 发自小木虫Android客户端 |
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【答案】应助回帖
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这个和等离子体鞘层有关，你可以看看《等离子体放电原理与材料处理》这本书。 在一些刻蚀工艺中，基板上会施加偏压，偏压对电子运动也是有作用的。 这个就得看具体的工艺了。 |
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2楼2016-12-15 13:44:50
jinwencao
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我来尝试回答一下。在等离子体中，电子质量小、温度高，所以它的迁移率（miu）和扩散系数（De)要远大于离子。在遇到边界时，由于等离子体浓度梯度的存在，电子和离子都往边界运动（扩散和迁移）。由于电子的De大，跑得比离子快，形成一个电场，指向边界。这样就造成你说的带负电性。详细理论搜索“双极扩散（ambipolar diffusion）”。 发自小木虫Android客户端 |
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4楼2016-12-15 22:22:02
Ghostridden
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谢谢回复。书上说鞘层是从辉光现象定义的，因为鞘层中缺少电子，所以激发-松弛碰撞比较少，因此是暗而不发光的区域，称为鞘层。但是缺少电子的原因是因为接近等离子体的东西带负电，同性相斥把电子驱赶到中央去了。因此鞘层是结果，最多是有反馈作用的结果，而不是原因。 我正好有机会问了只和行业的技术副总，他说的理由也是“电子速度快”，也是因为先有鞘层所以电压比周围高，所以靠近的东西带负电。我仍不能理解。 他还说到一个词貌似是“电荷损耗”，说电子跑得快，等离子体又是有限大小，所以电子会有更多损耗。但是我问他是不是意味着等离子体此时是带正点的，他又否认这一点。我依旧糊涂 发自小木虫Android客户端 |
3楼2016-12-15 16:14:26
jinwencao
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5楼2016-12-15 22:24:00
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6楼2016-12-16 12:03:24
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7楼2016-12-16 12:05:11
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8楼2016-12-16 12:07:05
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【答案】应助回帖
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等离子体仍然是准中性，而从等离子体过渡到边界的鞘层是可以这么说的，里面正离子多于负电子。 发自小木虫Android客户端 |
9楼2016-12-16 18:01:14
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10楼2016-12-16 18:05:17
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