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用MS计算材料带隙问题
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用MS计算材料带隙问题
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为什么用MS计算出来的TiO2的带隙是2.076eV与实际值3.2eV偏差那么大?
`3REM4G}`$XFO__PAXH~(PF.png
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1楼
2016-11-21 09:40:23
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2楼
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Originally posted by
漫天飘雪
at 2016-11-21 09:50:08
低估是很正常的事情。
关键是差太多了。有准确点的计算方法吗?差这么多该怎么预测材料的性质呢?
发自小木虫Android客户端
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3楼
2016-11-21 10:15:11
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漫天飘雪
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感谢参与,应助指数 +1
夜寻迷(蛋蛋小童鞋代发): 金币+3, 谢谢交流
2016-11-21 09:55:55
低估是很正常的事情。
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夜寻迷
http://blog.sciencenet.cn/u/pfliu89
2楼
2016-11-21 09:50:08
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3楼
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Originally posted by
夜寻迷
at 2016-11-21 10:15:11
关键是差太多了。有准确点的计算方法吗?差这么多该怎么预测材料的性质呢?
...
差的不多呀,在正常范围内。一般1/3-1/2都是正常的
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http://blog.sciencenet.cn/u/pfliu89
4楼
2016-11-21 10:54:47
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4楼
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Originally posted by
漫天飘雪
at 2016-11-21 10:54:47
差的不多呀,在正常范围内。一般1/3-1/2都是正常的...
有准确的模拟计算吗?半导体的带隙对我来说很重要,所以想寻求一种准确的模拟方法。
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5楼
2016-11-21 11:14:37
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