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Ti-6Al-4V XPS能谱C1s校准
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小硕机械，XPS新手。样品本身不含c，Ar离子溅射10nm后，C1s能谱有两个峰，285.2和282.0ev。我先把它分了峰，分成三个，如下图，再用 284.8校准（我以最小结合能处峰值校准到284.8）. V的精细谱2p1/2 522.7ev， 2p3/2 515ev，峰间距和 0价的V 7.7比较接近，结合实际情况V应该是0价。但V标准峰 2p1 519.6ev 2p3 511.9，相差3.1ev。 请问我校准是不是不对，还是哪里的问题?如果错了，我怎么改。谢谢！  C1s校准后.jpg  V 右侧两个峰.jpg  V标准能谱.jpg |
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3楼2016-11-11 10:57:39
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如果把282峰当成校正的目标，校正是没有问题。刚查了下，五价钒的自旋分裂在7.5左右，然而2p3的峰位在517.5，你可以尝试别的价态等化学环境。还有你的刻蚀时间呢？刻蚀速率如何得知？ 发自小木虫Android客户端 |
» 本帖已获得的红花（最新10朵）
黎枫144楼2016-11-11 15:33:12
5楼2016-11-13 16:19:21
hxju
木虫 (小有名气)
- 应助: 10 (幼儿园)
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- 帖子: 246
- 在线: 72.4小时
- 虫号: 710883
- 注册: 2009-02-28
- 专业: 同步辐射技术及其应用
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一般物质都是含有污染碳的，机时纯度很高的单晶样品也是会有一定量的污染碳，一般污染碳的峰位是在285ev附近。有问题，你的样品导电性不好吗？如果导电性不好，有荷电，会需要校准。如果导电性好，你应该考虑一下C谱峰中低结合的峰是不是其他成分的谱峰，例如Ru 3d就和C峰非常接近 发自小木虫Android客户端 |
6楼2016-11-14 00:03:16
