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【急求】氧等离子体刻蚀对硅片表面的影响 已有1人参与
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我看好多做平面微型超级电容器的都用等离子体刻蚀硅片(其上有300nm二氧化硅层)，这么做除了刻蚀表面的杂质还可以活化表面么？刻蚀多久比较好，太久会不会把二氧化硅层刻蚀掉？有文献可以参考么？！？ 发自小木虫Android客户端 |
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4楼2016-11-09 15:36:54
月牙儿的微笑
版主 (职业作家)
- 应助: 72 (初中生)
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2楼2016-10-26 15:28:54
15190052720
新虫 (正式写手)
- 应助: 3 (幼儿园)
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- 虫号: 4998076
- 注册: 2016-09-09
- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
3楼2016-10-26 15:35:34
5楼2016-11-09 15:39:03
