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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 【急求】氧等离子体刻蚀对硅片表面的影响
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Lynn94

新虫 (小有名气)

[求助] 【急求】氧等离子体刻蚀对硅片表面的影响 已有1人参与

我看好多做平面微型超级电容器的都用等离子体刻蚀硅片(其上有300nm二氧化硅层)，这么做除了刻蚀表面的杂质还可以活化表面么？刻蚀多久比较好，太久会不会把二氧化硅层刻蚀掉？有文献可以参考么？！？

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1楼 2016-10-26 15:22:30
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月牙儿的微笑

版主 (职业作家)

优秀版主优秀版主

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
氧等离子体不能与硅片或二氧化硅反应，不会将其刻蚀掉，反应例子刻蚀是刻蚀硅片或者二氧化硅的
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花开成海，思念成灾！
2楼2016-10-26 15:28:54
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15190052720

新虫 (正式写手)
你说的是asher，主要是去除残胶。对硅片进行表面改质。ICP才会去蚀刻。

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3楼2016-10-26 15:35:34
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Lynn94

新虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 15190052720 at 2016-10-26 15:35:34
你说的是asher，主要是去除残胶。对硅片进行表面改质。ICP才会去蚀刻。

那有什么文献可以参考么？

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4楼2016-11-09 15:36:54
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Lynn94

新虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 月牙儿的微笑 at 2016-10-26 15:28:54
氧等离子体不能与硅片或二氧化硅反应，不会将其刻蚀掉，反应例子刻蚀是刻蚀硅片或者二氧化硅的

“反应例子刻蚀是刻蚀硅片或者二氧化硅的”，请问这句是什么意思呢？有什么可以具体参考的内容呀？有的话可以发给我么？谢谢

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5楼2016-11-09 15:39:03
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Lynn94

新虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 15190052720 at 2016-10-26 15:35:34
你说的是asher，主要是去除残胶。对硅片进行表面改质。ICP才会去蚀刻。

对其表面改制的话，我看的文章中写的300wrf10min，可是我们是实现不了那么大的功率，会对改质有影响么？有可以参考的文献什么的么？有的话可以告诉我么？谢谢

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6楼2016-11-09 15:42:01
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