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【急求】氧等离子体刻蚀对硅片表面的影响 已有1人参与
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我看好多做平面微型超级电容器的都用等离子体刻蚀硅片(其上有300nm二氧化硅层)，这么做除了刻蚀表面的杂质还可以活化表面么？刻蚀多久比较好，太久会不会把二氧化硅层刻蚀掉？有文献可以参考么？！？ 发自小木虫Android客户端 |
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2楼2016-10-26 15:28:54
15190052720
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3楼2016-10-26 15:35:34
4楼2016-11-09 15:36:54
5楼2016-11-09 15:39:03
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对其表面改制的话，我看的文章中写的300wrf10min，可是我们是实现不了那么大的功率，会对改质有影响么？有可以参考的文献什么的么？有的话可以告诉我么？谢谢 发自小木虫Android客户端 |
6楼2016-11-09 15:42:01
